Samsung: Verbesserter LP-DDR3-RAM

Chips mit 4 GByte aus dem 20-Nanometer-Verfahren

Samsung hat die Produktion von neuen Low-Power-DDR3-Speicherchips für mobile Endgeräte eingeleitet: Die Chips bieten 4 GByte Kapazität und stammen aus dem 20-Nanometer-Herstellungsverfahren. Laut Samsung soll der LP-DDR3-RAM aus dem eigenen Hause in Smartphones und Tablets vergleichbare Leistung liefern wie auch im Segment für Desktop-PCs. Die neuen Speicherchips erlauben Transferraten von bis zu 2133 Megabit pro Sekunde – doppelt so viel wie bei herkömmlichen LPDDR2-Speicher, der bei 800 Mbps stecken bleibt.

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Auch im direkten Vergleich mit LPDDR3-RAM aus dem 30-Nanometer-Verfahren bietet der neue Speicher mehr Leistung bei geringerem Stromverbrauch. Laut Samsung können Hersteller dank des neuen RAMs aus dem 20-Nanometer-Prozess etwa 2 GByte Speicher in Endgeräten mit nur 0,8 mm Dicke unterbringen. Wann der LPDDR3-RAM aus dem neuen Verfahren erstmals in mobilen Endgeräten auftauchen wird, ist aber noch offen.

Quelle: Fudzilla

André Westphal

Redakteur

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