Samsung: Sparsamer DDR3-RAM

Samsung meldet Erfolge bei der Umstellung der Green DDR3-Serie auf 30 Nanometer Strukturbreiten. Startzeitraum für die Massenproduktion ist das zweite Halbjahr 2010. Die neuen Speicherriegel benötigen 1,35 Volt Versorgungsspannung. Vier Gigabyte sollen im Mittel mit 3 Watt Leistungsaufnahme auskommen. Auf welchem System die Messungen durchgeführt wurden gibt Samsung nicht an.

Quelle: E-Mail