Samsung: Sparsamer DDR3-RAM

Umstellung auf 30nm-Prozess

Samsung meldet Erfolge bei der Umstellung der Green DDR3-Serie auf 30 Nanometer Strukturbreiten. Startzeitraum für die Massenproduktion ist das zweite Halbjahr 2010. Die neuen Speicherriegel benötigen 1,35 Volt Versorgungsspannung. Vier Gigabyte sollen im Mittel mit 3 Watt Leistungsaufnahme auskommen. Auf welchem System die Messungen durchgeführt wurden gibt Samsung nicht an.

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Quelle: E-Mail

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