Samsung entwickelt „Green DDR3 DRAM“ in 30nm-Prozesstechnologie
Seoul, Korea, 1. Februar 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, gibt bekannt, dass sein neuer, branchenweit erster 2Gb (Gigabit) DRAM in 30nm-Technologie die Evaluierung bei Kunden mit Erfolg...
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