Samsung präsentiert erstes 64 GBit NAND-Flash-Memory in 30-nm-Prozesstechnologie für High-Density Speicherkarten
Seoul, Korea, 23. Oktober 2007 – Samsung Electronics Co. Ltd., ein führender Anbieter von modernster Halbleitertechnologie, gab heute die Entwicklung des weltweit ersten 64 GBit großen Multi-Level-Cell (MLC) NAND-Flash-Memory-Chips in 30-nm-Prozesstechnologie bekannt....
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