Samsung stellt mit PRAM die nächste Generation nichtflüchtiger Memories vor
Seoul, Korea, 11. September 2006 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, stellte heute auf seiner sechsten jährlichen Pressekonferenz in Seoul, Korea, den ersten funktionsfähigen Prototyp eines PRAMs (Phase-Change Random...
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