DDR3-RAM bald in 40 nm

Der Speicherhersteller Elpida hat einen Prozess entwickelt, um DDR3-RAM in Bausteinen mit 1600 MHz zukünftig im 40-Nanometer-Verfahren anbieten zu können. Dadurch wird die Herstellung günstiger und der Spannungsbedarf geringer. Der Speicher soll mit 1,2 oder 1,35 bzw. dem DDR3-Standard 1,5 Volt betriebsereit sein. Bei der geringsten Spannung kann der Strombedarf im Idealfall um 45 % sinken. Die Massenproduktion soll Ende 2009 beginnen. Auf lange Sicht möchte Elpida die Hälfte seiner gesamten Speicherproduktion im neuen Fertigungsprozess vornehmen.

Quelle: Xbitlabs