Samsung Electronics startet die Massenproduktion der ersten DDR2-Memories in 80-nm-Technologie

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 13. März 2006 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Speichertechnologien, hat als industrieweit erster Hersteller mit der Massenproduktion von 512Mbit DDR2 DRAMs in einer 80-nm-Technologie begonnen.

Gegenüber dem bisherigen 90-nm-Prozess kann Samsung mit der neuen 80-nm-Prozesstechnologie DRAMs nach dem DDR2-Standard mit 50 Prozent höherer Effizienz fertigen. Aufgrund der höheren Wirtschaftlichkeit, die beim Übergang auf die 80-nm-Technologie erzielt wird, kann das Unternehmen die steigende Nachfrage nach DDR2-Speichern künftig noch besser erfüllen.

“Die Nachfrage nach DDR2 DRAMs, die 2004 erstmals auf den Markt kamen, ist so hoch wie nie zuvor. Für das laufende Jahr rechnen wir mit einem kontinuierlich steigenden Bedarf an DDR2-Speichern, den wir mit unserer neuen 80-nm-Technologie optimal abdecken können,” so Gerd Schauss, Director Memory Marketing, Samsung Semiconductor Europe GmbH.

Da Samsung beim Übergang auf seinen neuen 80-nm-Prozess viele der Basis-Features der bisherigen 90-nm-Technologie nutzen konnte, gestaltete sich der Umstieg weitgehend reibungslos und erforderte lediglich minimale Erweiterungen der vorhandenen Produktionslinien.

Beschleunigt wurde der Umstieg auf die 80-nm-Technologie durch den Einsatz sogenannter “Recess Channel Array Transistoren” (RCATs). Dieses dreidimensionale Transistor-Layout verbessert die Refresh-Rate wesentlich und erfüllt somit eine wichtige Anforderung bei Datenspeichern. Samsungs RCATs benötigen außerdem eine kleinere Zellenfläche und ermöglichen es, den Fertigungsprozess noch besser zu skalieren und mehr Chips auf einem Wafer unterzubringen.

Das auf die Halbleiterbranche spezialisierte Marktforschungsunternehmen Gartner Dataquest geht davon aus, dass der Anteil an DDR2-Speichern am gesamten DRAM-Markt im laufenden Jahr auf 50 Prozent steigen wird.