Schlagwörter: Samsung

Schwalbach/Ts, Deutschland, 13. Dezember 2004 – Samsung präsentiert unter der Bezeichnung “MMCmicro” eine extrem kleine Multimedia-Speicherkarte (MMC) für Mobiltelefone. Das neue Wechselspeichermedium benötigt nur sehr wenig Strom, bietet eine hohe Performance und...

Schwalbach/Ts, Deutschland, 10. Dezember 2004 -Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat mit der Auslieferung der weltweit ersten synchronen 512-MBit-DRAMs nach der neuen GDDR3-Spezifikation begonnen. Samsungs Double-Data-Rate-Speicherchips (GDDR3) wurden speziell...

SEOUL, Korea – 15. Oktober 2004 – Samsung Electronics Co., Ltd. hat sein Geschäftsergebnis für das dritte Quartal 2004 veröffentlicht. Das Unternehmen erzielte einen Umsatz von KRW 14.34 Billionen (€ 10,11 Mrd.),...

SEOUL, Korea – 24. September, 2004 – Samsung Electronics Co., Ltd., der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleitertechnologien, verkündet heute, daß das Unternehmen neue Speicherkarten entwickelt hat, die sowohl den Samsung-FLASH-Speicher als...

Schwalbach/Ts., Deutschland, 24. August, 2004 – Samsung LCD Business, ein Geschäftsbereich der Samsung Electronics Co., Ltd. und weltweit größter Lieferant von TFT-LCD-Panels, hat heute eine breite Palette von Display-Komponenten und -Technologien auf...

Seoul, Korea, 2. August 2004 – Fortsetzung der Samsung Erfolgsgeschichte: Nachdem Interbrand, weltweit führender Marken-berater, Samsung schon im vergangenen Jahr zur am schnellsten wachsenden Marke der Welt erklärt hatte, hat sich der...

Schwalbach/Ts, Deutschland, 29. Juli 2004 -Samsung Electronics Co. Ltd., ein führender Anbieter fortschrittlicher Silizium-Lösungen, kündigte heute einen neuen Schnittstellen-Standard für Display-Treiber-ICs zur Ansteuerung großflächiger TFT/LCD-Panels an. Samsungs neuer CICC-Standard (Current-Mode Interface of...

Schwalbach/Ts., Deutschland, 25. Juni 2004 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernen Halbleitertechnologien, kündigt heute das 8-Gigabyte(GB)-DDR-DRAM-Modul mit der branchenweit höchsten Kapazität an, das aus zweiundsiebzig monolithischen 1-Gigabit(Gb)-Bausteinen besteht. Durch...

Seoul Korea, 17. Juni 2004 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleitertechnologien, hat heute das erste Wafer Level Package (WLP) der Branche für hoch leistungsfähige 512Megabit (Mb) DDR2-SDRAMs angekündigt....

Schwalbach/Ts., Deutschland, 17. Juni, 2004 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleitertechnologien, päsentiert eine große Anzahl von grundlegenden Technologien der nächsten Generation auf den Symposien für VLSI-Technologie und -Schaltkreise,...

Schwalbach, Deutschland, 27. Mai 2004 – Samsung Electronics gibt bekannt, daß das Unternehmen die erste „CVD-Aluminium-Prozesstechnologie“ der Branche entwickelt hat – die neueste Prozesstechnologie an der 70-Nanometer-Marke, die das chemische Dampfabscheidungsverfahrens CVD...

Schwalbach/Ts., 12. Mai 2004 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleiterspeicher-Technologien, gibt heute die neueste Ergänzung seines Portfolios mobiler DRAMs bekannt, einen monolithischen 32bit-breiten 256Mbit-DDR-Speicherbaustein, der eine für photorealistische...

Schwalbach/Ts., Deutschland, 5. Mai 2004 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleiterspeicher-Technologien, gibt heute bekannt, daß seine 4-GigaByte (GB) Registered-Dual-In-Line-Memory-Modules (RDIMMS) durch Advanced Micro Devices (AMD) für 64-Bit-OpteronT-Prozessor-basierte Systemplattformen...

Schwalbach/Ts., Deutschland, 29. April 2004 – Samsung Electronics, der weltweit führende Hersteller von modernsten Halbleiterspeicher-Technologien, gibt heute eine Geschwindigkeitsverbesserung seiner 2-GBit-NAND-Flash-Speicher bekannt. Dieser neue Hochgeschwindigkeits-NAND-Flash-Speicher verbessert die sequentielle Schreib-/Lese-Zugriffszeit von 50 ns...