Neues in der Chip Entwicklung

IBM hat es geschafft, DRAM in SOI-Chips (Silicon on Insulator) zu

integrieren. Damit wird die „System on a Chip“-Technik, welche bei IBM gross geschrieben wird, konsequent weitergeführt. Bei dieser Technik kann mit einem Geschwindigkeitszuwachs von 20-30% gerechnet werden. Naheliegend ein weiterer Vorteil, die Signale müssen keine weiten Wege mehr gehen. Somit ist es einfacher den Chip höher zu takten ohne die Verluste in den Leitungen beachten zu müssen.

Beim SOI-Verfahren wird eine dünne Sauerstoff-Lage als Isolationsschicht unter die Oberfläche der Silizium-Wafer gebracht. Durch die Isolationsschicht wird eine Art dünner Kanal erzeugt, bei dem die elektrischen Impulse mit sehr geringer „Reibung“ durch die Leiterbahnen transportiert wird.
Man erhöht somit die Geschwindigkeit und natürlich wird der Strombedarf dadurch auch verringert.

Quelle: Tom's Hardware