Das QDR Co-Development Team, bestehend aus Cypress Semiconductor, IDT, Micron Technology, NEC und Samsung Electronics, veröffentlichte heute die Next-Generation Speicherarchitektur, QDRII (Quad Data Rate) und Double Data Rate (DDR) II. Bei den zwei neuen Architekturen handelt es sich um die Weiterentwicklungen von QDR und DDR SRAM und sollen die neuen Chips zu einer Performance von bis zu 333 MHz bringen. Aktuell werden 18 Mbit QDR SRAM Samples mit den neuen QDRII/DDRII Erweiterung getestet. Sie werden in einem 13mm x 15mm FBGA Package verbaut mit einem 165-Pin Ball Grid Array (BGA) und sind ausgelegt für eine Dichtenmigration über 18, 36 bis hin zu 72 Mbit. Reifere Samples mit 18 Mbit in unterschiedlichen Konfigurationen und Taktfrequenzen werden jedoch erst fürs 4. Quartal 2001 erwartet. Mehr dazu in der offiziellen Mitteilung.
Quelle: QDR SRAM Group
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