Hochintegrierte Chips aus Japan

Toshiba und Sony verkündeten vor wenigen Tagen die weltweit ersten in 65nm Verfahrenstechnik gefertigten „System LSIs“ (Large Scale Integrated Circuits) mit integriertem DRAM, die ein Viertel der Größe der gegenwärtigen LSIs haben. Die 65nm SoC (System-on-Chip) Technologien besitzen Transistoren mit 30nm Gattern, die die weltweit schnellste Schaltgeschwindigkeit haben, sowie die kleinsten Zellen für „embedded DRAM und SRAM“, wie die Firmen in einer gemeinsamen Erklärung mitteilten. Hochintegrierte LSIs aktuell erhältlicher Systeme werden mit 130nm Verfahrenstechniken produziert. Die zwei japanischen Firmen begannen im Mai 2001 gemeinsam mit der Entwicklung von 90nm und 65nm CMOS Verfahrenstechniken.

Quelle: DigiTimes