Samsung Electronics stellt die branchenweit kompaktesten 8-Gigabyte DDR-DRAM-Module für High-End-Server vor

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Schwalbach/Ts., Deutschland, 25. Juni 2004 – Samsung Electronics, der

weltweit führende Hersteller von modernen Halbleitertechnologien, kündigt
heute das 8-Gigabyte(GB)-DDR-DRAM-Modul mit der branchenweit höchsten
Kapazität an, das aus zweiundsiebzig monolithischen 1-Gigabit(Gb)-Bausteinen
besteht. Durch den Einsatz einer 0,1µm-Prozesstechnologie erfüllt das neue
DRAM-Modul die Höhenbegrenzung des JEDEC-Standards von 1,2 Zoll bei
gleichzeitiger Maximierung der Speicherkapazität.

Das hochkompakte Modul ist konzipiert für den Einsatz in High-End-Servern,
Workstations und speziellen Anwendungen wie etwa Echtzeit-Datenverarbeitung
in Video-Konferenz-Systemen, medizinische Ferndiagnose, interaktive
Kommunikation, Satelliten-Kommunikation, integrierte persönliche Datenkarten
und 3D-Grafik. Diese Anwendungen sind es auch, die den Markt antreiben. Die
Industrie-Marktforscher von IDC erwarten, daß der 1Gb DRAM-Markt 9,5
Milliarden US Dollar im Jahr 2007 erreichen wird und der Bedarf an
High-End-Servern einen kumulierten Rekordzuwachs von 52 Prozent von 2004 bis
2007 verzeichnen wird.

Das 8GB-DDR-DRAM-Modul ist in zwei Varianten der sogenannten Package
Stacking Technologie (Gehäuse-Stapel-Technologie) erhältlich, als
Zweifachstapel von 1Gb-DDR-DRAMs im Thin-Small-Outline-Package (TSOP) oder
als Vierfachstapel von 1Gb-DDR-DRAMs im
Finepitch-Ball-Grid-Array(FBGA)-Gehäuse auch bekannt als Multi-Stack-Package
(MSP). Beim 8GB-Modul, das auf 1Gb-DDR-DRAM im TSOP-Gehäuse basiert, sind
sechsunddreißig zweifach gestapelte TSOPs in zwei parallelen Neunerreihen
auf jeder Platinenseite plaziert.

Das neue 8GB-Modul, das auf 1Gb-DDR-FBGA-Gehäusen basiert, verwendet
achtzehn vierfach gestapelte FBGAs in zwei Neunerreihen, mit einer Reihe auf
jeder Platinenseite. Das fortschrittliche vierfach gestapelte FBGA von
Samsung entspricht der Modulspezifikation des JEDEC-Standards von 1,2 Zoll
Höhe. Dies wird durch die Implementierung der fortschrittlichen
FBGA-Gehäuse-Technologie erreicht, die höhere Modul-Packungsdichten
ermöglicht.

Darüber hinaus unterstützt die FBGA-Gehäuse-Technologie von Samsung das
Standard-FBGA-Gehäuse für DDR2-DRAMs und kann unmittelbar für die nächste
Generation der DRAM-Technologie zur Steigerung der Leistungsfähigkeit und
der Kompaktheit von DRAM-Modulen übernommen werden. Diese bahnbrechende
Stapel-Technologie wird voraussichtlich eine wichtige Rolle bei zukünftigen
Speicherlösungen mit hoher Kapazität spielen.

Nach der Einführung des 1Gb-DDR-DRAMs im Dezember 2002 und des 4GB-Moduls im
Januar 2003, stellen die 8GB-DDR-DRAM-Module einen weiteren Meilenstein in
der fortschrittlichen Technologie hoch-kompakter DRAM-Module von Samsung
dar.

Samsung hat bereits mit der Bemusterung der 8GB-DDR-DRAM-Module für führende
Server-Hersteller begonnen.

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