Samsung Electronics produziert den weltweit ersten funktionsfähigen Prototyp der nächsten Speichergeneration – DDR3

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Schwalbach/TS., Deutschland, 17. Februar 2005 – Samsung Electronics Co.

Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat jetzt
das weltweit erste DDR3 DRAM (Dynamic Random Access Memory) mit einer
Speicherkapazität von 512 MBit produziert. Das neue DDR3 DRAM ermöglicht
eine außergewöhnlich hohe Datenübertragungsrate von 1.066 MBit/s (dies
entspricht der Datenmenge von 8.000 Zeitungsseiten pro Sekunde), und es soll
planmäßig zum Jahresbeginn 2006 auf den Markt kommen. DDR3 (Double Data
Rate) wird der neue Standard für die nächste Generation ultraschneller
Speicherchips mit geringer Verlustleistungsaufnahme, die in Notebooks,
Desktop-PCs und Servern zum Einsatz kommen.

„Mit den DDR3 Speicherchips haben wir ein weiteres Mal bewiesen, dass wir in
der Lage sind, mit fortschrittlichster Technologie auf Marktanforderungen in
kürzester Zeit zu reagieren,“ so Werner Diesing, Vice President, Memory und
TFT-LCD Marketing, Samsung Semiconductor Europe.

Samsungs DDR3-Prototyp ist der erste Speicherchip, der mit einer Spannung
von lediglich 1,5 V arbeitet, und erhöht schon damit in einer zunehmend
mobileren Welt die Laufzeit der Batterie. DDR3-Speicher arbeiten doppelt so
schnell wie DDR2-Speicherchips und viermal so schnell wie herkömmliche
DDR-Speicher. Sie bilden damit die Grundlage für die Datenverarbeitung im
Gigabit-Bereich. Darüber hinaus profitieren die neuen DDR3-Speicher von den
Vorteilen einer hochentwickelten 80-nm-Fertigungstechnologie, und sie
enthalten neue Funktionen wie Self-Driver-Kalibration und
Daten-Synchronisation, die Übertragungsgeschwindigkeiten in bisher nicht
möglicher Höhe ermöglichen.

Samsung Electronics war das erste Unternehmen, das 1998 und 2001 DRAMs mit
DDR-Spezifikation bzw. DDR2 DRAMs produziert hat. Im Dezember 2003 erhielt
Samsung von der JEDEC-Standards-Organisation für sein Engagement bei der
Standardisierung der DDR2-Spezifikation den „Technical Recognition Award”.
Mit seinem 512-MBit-DDR3-Prototyp erschließt Samsung Electronics jetzt die
neue Ära der ultraschnellen Computeranwendungen mit reduzierter
Verlustleistungsaufnahme, und das Unternehmen spielt zugleich eine wichtige
Rolle bei der Standardisierung von DDR3-Speicherchips.

Samsungs Portfolio an DRAMs der kommenden Generation enthält XDR-, DDR2- und
ab sofort auch DDR3-Speicher.

Das auf Halbleiter spezialisierte Marktforschungsunternehmen IDC geht davon
aus, dass die ersten DDR3-DRAMs 2006 verkauft werden, und beziffert das
Marktvolumen für diese Speichertypen bis 2009 mit 65% des gesamten
DRAM-Marktes.