DDR-RAM in 70nm-Fertigung

Als einer der ersten Hersteller will Samsung sein Verfahren auf 70nm-Strukturen umgestellt haben. Die Anzahl an pro Wafer produzierbaren Chips soll auf diese Weise gegenüber dem 90nm-Verfahren verdoppelt werden. Chips mit Kapazitäten zwischen 512 MBit und 2 GBit sollen in der zweiten Jahreshälfte 2006 in die Massenproduktion gehen.

Der neue Fertigungsprozess profitiert von Metal-Insulator- Metal-Kondensatortechnik (MIM) und einer 3D-Transistor-Architektur namens “Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor” (S-RACT). Diese Techniken sollen die Beschränkungen von gestapelten DRAM-Zellen beseitigen und die Daten-Refresh-Zeiten verbessern. Sie wurden von Samsung bereits auf den VLSI-Symposien in 2004 und 2005 vorgestellt.

Quelle: Eigene