AMD wählt Samsungs GDDR4-Memory-Chips für Grafikkarten der nächsten Generation mit der ATI Radeon HD 2000 Serie

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 28. Juni 2007 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernster Speichertechnologie, gibt bekannt, dass sich AMD für den Einsatz von Samsungs GDDR4 (Graphics Double Data Rate, Version 4) High-Speed Grafik-Memory-Chips in den Grafikkarten 1GB ATI Radeon(tm) HD 2900 XT und 256MB ATI Radeon(tm) HD 2600 XT entschieden hat. Die 1-GB-Karten verfügen über den industrieweit breitesten Bus und wurden für Full-Performance, High Dynamic Range (HDR) Rendering in PCs entwickelt.

“Wir haben Samsungs GDDR4-Memory-Chips für unsere 1GB ATI Radeon HD 2900 XT und ATI Radeon HD 2600 XT Grafikkarten gewählt, weil das Design dieser Produkte unsere Strategie ergänzt, mit der wir künftig noch mehr PC-Spielebegeisterten Technologie der Spitzenklasse anbieten möchten,” so Vijay Sharma, Director, Product Marketing, AMD Graphics Products Group. “Wir arbeiten intensiv mit wichtigen Mitspielern aus der Industrie wie Samsung zusammen, um Lösungen zu entwickeln, die die bisher verfügbaren Angebote übertreffen.”

“Unser GDDR4-Memory bildet die Grundlage dafür, dass die Premium- und Mainstream-Karten aus der ATI Radeon(tm) HD 2000 Serie auf ihrem optimalen Leistungsniveau arbeiten”, so Gerd Schauss, Director Memory Marketing bei Samsung Semiconductor Europe.
Die mit einer 80nm-Prozesstechnologie gefertigten 512 Mb GDDR4-Memory ermöglichen den Grafikkarten eine Bandbreite von 140,8 GB/s – 25 Prozent mehr als die heute am häufigsten eingesetzten GDDR3-Grafik-Memories mit 700 MHz.

GDDR4 verarbeitet Video-Bilder in Desktop-PCs, Notebooks und Workstations mit extrem hoher Geschwindigkeit und bewegt simultan große Mengen an High-Definition- oder andere hochauflösende Videos wie Blue Ray und Full-HD Video-Bilder der nächsten Generation.
Samsungs GDDR4-Memory-Chips mit einer Kapazität von 512 Mb befinden sich bereits in der Massenproduktion. Samsung hat im vergangenen Jahr das weltweit erste GDDR4-Memory entwickelt und zum Jahresbeginn 2007 auf der ISSCC (International Solid State Circuits Conference) ein Papier über ein 4 GBit/s schnelles GDDR4-Memory eingereicht.