Intel eröffnet erste Fabrik zur Massenfertigung von 45nm Mikroprozessoren

Neue 3 Milliarden US-Dollar Anlage in Chandler, Arizona, zur Herstellung von Prozessoren auf Basis der Intel 45nm High-k Metal Gate Transistoren

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Feldkirchen, den 25. Oktober 2007 – Heute begann in der ersten Intel 45 Nanometer (nm) Hochleistungsfabrik in Chandler, Arizona, offiziell der Herstellungsprozess für eine neue Generation von Mikroprozessoren für PCs, Notebooks, Server und andere Computerendgeräte. Die drei Milliarden US-Dollar teure Anlage mit der Bezeichnung „Fab 32“ arbeitet auf Basis der innovativen 45 nm Technologie, mit der Intel zentrale Bereiche innerhalb eines Transistors „neu erfunden“ hat. Das Ergebnis: eine drastische Reduzierung der Transistor-Leckströme. Die Fab 32 wird auf mehr als einer Million Quadratmetern Fläche künftig Zig-Millionen CPUs produzieren. Im kommenden Jahr plant Intel die Eröffnung von zwei weiteren 45 nm Fabriken.

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Größer als 17 Fußballfelder
Die Fab 32 ist Intels sechste 300mm Wafer Fabrik und nach Oregon das zweite Werk, in dem 45 nm Chips produziert werden. Mit einer Reinraum-Fläche von 184.000 qm entspricht der Grundriss des neuen Werks der Größe von rund 17 Fußballfeldern. Die Belegschaft zählt mehr als 1.000 Beschäftigte in Produktion und Automation sowie Ingenieure und Fertigungstechniker. Mit der Fab 32 gehen 45 nm CPUs in die Massenfertigung. Zwei weitere Anlagen in Kiryat Gat (Israel) und Rio Rancho (New Mexico, USA) werden im kommenden Jahr an den Start gehen. „Die heutige Eröffnung der Fab 32 in Arizona bekräftigt einmal mehr unsere kontinuierlichen Investitionen in unseren strategisch wichtigsten Wert: das modernste und umweltfreundlichste Fertigungsnetzwerk der Welt“, so Paul Otellini, Intel President und CEO. „Der Meilenstein 45 nm Technologie und unser neues Transistordesign ermöglichen es uns, Intel Kunden energiesparende Prozessoren mit höchster Leistungsfähigkeit bereit zu stellen. Und dies für alle Marktsegmente von Hochleistungsservern bis hin zu kleinen mobilen Endgeräten.“
Die zukunftsweisenden 45 nm Transistoren verwenden ein Hafnium basierendes High-k Material für das so genannte Gate-Dielektrikum und für das Gate eine Mixtur verschiedener metallischer Substanzen. Dabei sind die Transistoren mittlerweile so klein, dass zwei Millionen von ihnen auf die Fläche des Punktes am Ende dieses Satzes passen würden. Millionen dieser winzigen Transistoren kennzeichnen die neuen, schnelleren und energieeffizienteren blei- und halogenfreien Prozessoren für Computer unterschiedlichster Größe und Anwendung. Dadurch, dass die Schaltgeschwindigkeit der Transistoren um rund 20 Prozent verbessert wurde, während sich gleichzeitig die Stromverluste beim Transistor um das Fünffache verringern, können nun erheblich sparsamere Prozessoren im Ultra-Low Power Bereich gefertigt werden. Zudem erweitern sich die Optionen für den Bau kleinerer und leistungsfähigerer Plattformen. Der erste Intel 45 nm Prozessor wird am 12. November dieses Jahres vorgestellt.

Umweltfreundliche Bauweise
Trotz aller Hochleistungskapazitäten zählt die Fab 32 zu den umweltfreundlichsten Intel Fabriken. Sie integriert eine Reihe an Konservierungsmaßnahmen für Energie und Wasser. So nutzt die neue Anlage das innovative Programm des Staates Arizona zur Konservierung und Wiederverwendung von Wasser, bei dem rund 70 Prozent dieser lebensnotwendigen Ressource gespart werden.
Darüber hinaus plant Intel die Fab 32 als erste Fabrik des Unternehmens offiziell nach den Kriterien des Leadership in Energy and Environmental Design (LEED) zertifizieren zu lassen, die für Anlagen dieser Art neu entwickelt wurden. LEED ist ein Rating-System für grüne Gebäude, das vom U.S. Green Building Council ins Leben gerufen wurde und Standards setzt für eine umweltgerechte Bauweise. Die Zertifizierung setzt eine mehrmonatige Laufzeit der Fabrik voraus.

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