Intel, Samsung Electronics und TSMC vereinbaren Übergang zu 450 mm Wafer Herstellung

Die Unternehmen verständigen sich auf einen Zeitplan für den Startschuss der 450 mm Wafer Produktion

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Feldkirchen, den 05. Mai 2008 – Intel, Samsung Electronics und TSMC sind übereingekommen, gemeinsam den Wechsel hin zu größeren 450 mm Wafern einzuleiten. Die Zusammenarbeit beginnt 2012 und schafft die Voraussetzung für ein weiterhin kontinuierliches Wachstum der Halbleiterindustrie. Zugleich wird dadurch eine vernünftige Kostenstruktur für die Herstellung integrierter Schaltkreise auch künftig sichergestellt. Die drei Unternehmen arbeiten mit der gesamten Halbleiterindustrie zusammen, um zu gewährleisten, dass die notwendigen Komponenten ebenso wie die Infrastruktur und Leistungsfähigkeit entsprechend entwickelt und getestet sind, damit zum ausgegebenen Zeitpunkt der Pilotlauf gestartet werden kann.

Anzeige

Intel, Samsung und TSMC sind überzeugt, dass die komplette Halbleiterindustrie davon profitiert, wenn man sich auf die Einhaltung allgemein geltender Standards sowie einen gemeinsamen Zeitplan verständigt. Erreicht wird damit ein optimierter Return on Investment, ein reduzierter Aufwand für Forschung und Entwicklung im Bereich 450 mm und eine Rationalisierung des Wechsels von der 300 mm Infrastruktur. Von der Kooperation versprechen sich die drei Unternehmen zudem, Risiken und Übergangskosten zu minimieren. Die Zusammenarbeit mit International Sematech (ISMI) wird dabei fortgesetzt. Diese spielt eine zentrale Rolle bei der Koordination innerhalb der Industrie, 450 mm Wafer auszuliefern, Standards zu setzen und Equipment für den Aufbau von Testumfeldern bereitzustellen.

Rückblickend lässt sich feststellen, dass die Herstellung mit größeren Wafern in der Vergangenheit stets dazu beigetragen hat, Halbleiter günstiger zu produzieren. Die gesamte Silizium Oberfläche eines 450 mm Wafers und die Anzahl der gestanzten Dies (beispielsweise einzelne Computerchips) sind mehr als doppelt so hoch wie bei einem 300 mm Wafer. Somit lassen sich mit einem größeren Wafer die Produktionskosten pro Chip erheblich senken. Darüber hinaus reduziert sich der Ressourcenverbrauch pro Chip, da zum Beispiel Energie wesentlich effizienter eingesetzt wird. Der Übergang von 200 mm auf 300 mm Wafer etwa verringerte signifikant die gesamten Emissionen, die pro Chip bei der Herstellung entstehen. Das Ergebnis ist eine geringere Luftverschmutzung, weniger austretende Gase, die zur globalen Erwärmung führen, und ein gesunkener Wasserverbrauch. Einen ähnlichen Effekt verspricht der Wechsel hin zu 450 mm Wafern.

Bislang fand die Migration auf die nächst größeren Wafer stets im 10-Jahres-Rhythmus statt. So begann der Übergang zu 300 mm Wafern im Jahr 2001, die 200 mm Wafer wurden 1991 eingeführt. Vor diesem Hintergrund haben sich Intel, Samsung und TSMC auf den Wechsel zu 450 mm Wafern für 2012 verständigt.

„Unsere Industrie hat mittlerweile eine lange Innovationshistorie, die immer neue und weiterentwickelte Wafer hervorbrachte. Das Ergebnis sind sinkende Kosten je produziertem Silizium und ein Wachstum der gesamten Branche,“ so Bob Bruck, Vice President und General Manager, Technology Manufacturing Engineering der Intel Technology und Manufacturing Group. „Gemeinsam mit Samsung und TSMC sind wir davon überzeugt, dass der Übergang zu 450 mm Wafern diesem Pfad folgen wird und unseren Kunden einen spürbaren Mehrwert bringt.“