Samsung bereitet “Green Memory” mit innovativer “Chip-Stacking”-Technologie nach erfolgreichen Systemtests bei Kunden für die Markteinführung vor

(Auszug aus der Pressemitteilung)

SEOUL, Korea, 7. Dezember 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernster Speichertechnologie, gibt die Entwicklung eines Registered Dual-Inline-Speichermoduls (RDIMM) mit 8Gigabyte (GB) bekannt. Das neue Speichermodul basiert auf Samsungs innovativen Green DDR3 DRAMs und wurde bereits bei wichtigen Kunden erfolgreich getestet. Besonders hervorzuheben ist die hohe Leistungsfähigkeit des Speichermoduls, die auf eine dreidimensionale (3D) Chip-Stacking-Technologie mit dem Namen “Through Silicon Via” (TSV) zurückzuführen ist.

“Wir sind optimal positioniert, um die frühe Nachfrage des Marktes nach unserer State-of-the-Art TSV-Technologie zu erfüllen. Dies geschieht in einem Szenario, in welchem die Branche weitere Fortschritte bei der Bonding-Technologie zur Steigerung der Leistungsfähigkeit und Effizient vorweisen kann,” sagt Dr. Chang-Hyun Kim, Senior Vice President und Samsung Fellow, Memory Product Planning & Application Engineering bei Samsung Electronics. “Unser heute angekündigtes 40nm-Class*-RDIMM kennzeichnet die Markteinführung eines noch innovativeren und umweltfreundlichen “Green Memory” Produktangebots auf der Basis der 3D-TSV-Technologie. Dieses Angebot wird die Führungsposition unseres Unternehmens und die Marktposition der Kunden in den Bereichen Server- und Enterprise-Storage weiter stärken.”

Ein 8GB RDIMM mit 3D-TSV-Technologie spart gegenüber herkömmlichen RDIMMs bis zu 40 Prozent Energie. Ferner ermöglicht die TSV-Technologie eine wesentlich höhere Speicherdichte auf dem Chip. Dies bedeutet, dass Serversysteme der nächsten Generation mit weniger Speicherchips auskommen. Angesichts einer 30-prozentigen Ersparnis an Speicher-Steckplätzen in Servern der kommenden Generation wird sich mit der TSV-Technologie die DRAM-Speicherdichte um über 50 Prozent erhöhen lassen. Dies macht die TSV-Technologie äußerst attraktiv für den Einsatz in leistungsstarken High-Density-Serversystemen.

Mit der TSV-Technologie von Samsung lässt sich das Paradoxon, den Energieverbrauch bei Servern zu reduzieren und zugleich eine höhere Speicherkapazität und Performance zu erzielen, lösen.

Bei der TSV-Technologie sind vertikal durch das Silizium angeordnete, mit Kupfer gefüllte Löcher mit Durchmessern im Mikronbereich vorhanden. Indem man statt des herkömmlichen Wire Bondings den “Through Silicon Via” Bonding-Prozess verwendet, werden die Signalverbindungen beachtlich verkürzt. Dies ermöglicht, dass der aus mehreren Ebenen übereinander gestapelte Chip sich wie ein einziger Siliziumchip verhält.

Leistungstests bei Kunden hat die TSV-Technologie bereits erfolgreich bestanden. Samsung bereitet seine TSV-Technologie derzeit für zahlreiche Server-Applikationen vor, die hohe Leistungsanforderungen erfüllen müssen und nur wenig Energie verbrauchen dürfen.

Der zunehmend verbreitete Einsatz der 3D-TSV-Technologie soll ab 2012 beginnen. Samsung plant, die Eigenschaften der TSV-Technologie wie höhere Performance und niedrigerer Energieverbrauch auf Prozesse der 30nm-Class* oder mit noch kleineren Strukturen anzuwenden.