Samsung entwickelt industrieweit erstes DDR4 DRAM in 30nm-Class-Technologie

(Auszug aus der Pressemitteilung)

SEOUL, Korea, 4. Januar 2011 – Samsung Electronics Co. Ltd, ein weltweit führender Anbieter von modernsten Halbleitertechnologielösungen, hat Ende vergangenen Monats die Entwicklung des industrieweit ersten DDR4 DRAM Prototyp-Moduls in 30nanometer (nm) Class* Prozesstechnologie abgeschlossen.

“Wir unterstützen aktiv die IT-Branche mit unserem ‘Green Memory’ Programm, indem wir Jahr für Jahr umweltfreundliche und innovative Speicherprodukte mit ständig höherer Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz auf den Markt bringen,” sagt Dong Soo Jun, President, Memory Division, Samsung Electronics. “Das neue DDR4 DRAM wird das Vertrauen in unser ‘Green Memory’ der Spitzenklasse noch mehr stärken. Dies gilt speziell dann, wenn wir auf 4gigabit (Gb) DDR4 basierende Produkte mit Prozesstechnologie der nächsten Generation für Mainstream Applikationen vorstellen.”

Gegenüber DDR3 DRAMs für 1,35 und 1,5V, die mit bis zu 1,6Gbps (Gigabit pro Sekunde) arbeiten und in einer äquivalenten 30nm-Class* Prozesstechnologie basieren, kann das neue DDR4 DRAM-Modul bei einer Spannung von 1,2V eine Datenübertragungsrate von 2,133Gbps erreichen. Beim Einsatz in Notebooks senkt es im Vergleich zu 1,5V DDR3 Modulen den Energieverbrauch um 40 Prozent.

Das Modul enthält Pseudo Open Drain (POD). POD ist eine neue Technologie, die in High-Performance Grafik-DRAMs implementiert wurde und dafür sorgt, dass das neue DDR4 DRAM beim Schreiben und Lesen von Daten nur halb soviel Strom aufnimmt wie DDR3 DRAMs.

Mit einer neuen Schaltkreisarchitektur kann Samsungs DDR4 DRAM mit bis zu 1,6 bis 3,2Gbps arbeiten, während DDR3 und DDR2 DRAMs typische Geschwindigkeiten von 1,6Gbps bzw. 800Mbps erreichen.

Ende letzten Monats hat Samsung 2gigabyte (2GB) DDR4 Unbuffered Dual In-Line Memory-Module (UDIMM) für 1,2V an einen Controller-Hersteller zu Testzwecken ausgeliefert.

Das Unternehmen plant jetzt, mit mehreren Server-Herstellern zusammenzuarbeiten, um den Abschluss der JEDEC-Standardisierung von DDR4-Technologien in der zweiten Jahreshälfte voranzutreiben.

Samsung treibt seit der Entwicklung des industrieweit ersten DDR DRAMs im Jahr 1997 die Fortschritte in der DRAM-Technologie maßgeblich voran. So hat das Unternehmen 2001 das erste DDR2 DRAM eingeführt und 2005 das erste DDR3 DRAM in 80nm-Class Technologie angekündigt.