TSMC FinFlex, N2-Prozess-Innovationen werden beim Technologie-Symposium Nordamerika 2022 erstmals vorgestellt

(Auszug aus der Pressemitteilung)

June 17, 2022, SANTA CLARA, Kalifornien (USA) — TSMC (TWSE: 2330, NYSE: TSM) präsentierte heute bei seinem Technologie-Symposium Nordamerika 2022 die neuesten Innovationen im Bereich seiner fortschrittlichen Logik-, Spezial- und 3D-IC-Technologien. Erstmals vorgestellt wurden der durch Nanosheet-Transistoren angetriebene bahnbrechende N2-Prozess der nächsten Generation sowie die einzigartige FinFlex™-Technologie für die N3- und N3E-Prozesse.

Nachdem das Nordamerika-Symposium in den letzten zwei Jahren online ausgetragen wurde, findet die Veranstaltung nunmehr wieder mit persönlicher Anwesenheit im kalifornischen Santa Clara statt und läutet den Beginn einer Reihe von Technologie-Symposien ein, die in den nächsten Monaten rund um die Welt veranstaltet werden. Die Symposien warten mit einer Innovationszone auf, in der die Errungenschaften der aufstrebenden Start-up-Kunden von TSMC herausgestellt werden.

„Wir leben in einer sich rasch ändernden, aufgeladenen, digitalen Welt, in der die Nachfrage nach Rechnerleistung und Energieeffizienz schneller wächst als je zuvor und dadurch noch nie dagewesene Gelegenheiten und Herausforderungen für die Halbleiterindustrie aufwirft“, so Dr. C.C. Wei, CEO von TSMC. „Die Innovationen, die wir bei unseren Technologie-Symposien vorstellen werden, illustrieren die technologische Marktführerschaft von TSMC und unser Bemühen, unsere Kunden während dieser spannenden Periode der Transformation und des Wachstums zu unterstützen.“

Die wichtigsten Technologien, die beim Symposium vorgestellt wurden:

TSMC FinFlex™ für N3 und N3E – die branchenführende N3-Technologie von TSMC, die gegen Ende 2022 in Serienfertigung gehen wird, verfügt über die revolutionäre architektonische TSMC FinFlex™-Innovation, die Konstrukteuren beispiellose Flexibilität bietet. Die TSMC FinFlex™-Innovation bietet verschiedene Standardzellen mit einer 3-2-Fin-Konfiguration für Hochleistungen, einer 2-1-Fin-Konfiguration für hervorragende Energieeffizienz und Transistordichte sowie einer 2-2-Fin-Konfiguration, die für ein ausgewogenes Verhältnis zwischen den zwei Erstgenannten und eine energieeffiziente Leistung sorgt. Mit der FinFlex™-Architektur von TSMC können Kunden ihren Bedürfnissen entsprechend maßgeschneiderte System-on-Chip-Designs erstellen, indem funktionelle Blöcke eine gemäß der gewünschten Leistung, dem Energieverbrauch und Zielbereich optimierte Fin-Konfiguration implementieren, die auf demselben Chip integriert ist. Weitere Informationen zu FinFlex finden Sie unter N3.TSMC.COM.

N2 Technologie – Die N2-Technologie von TSMC stellt einen weiteren beachtenswerten Fortschritt gegenüber N3 dar und läutet eine neue Ära der effizienten Leistung ein, insofern als wahlweise die Geschwindigkeit bei gleicher Leistungsaufnahme um 10 bis 15 Prozent steigt oder die Leistungsaufnahme bei gleicher Geschwindigkeit um 25 bis 30 Prozent sinkt. N2 ist mit Nanosheet-Transistor-Architektur ausgestattet und sorgt so für eine Verbesserung der Leistung und Energieeffizienz im gesamten Node, um die nächste Generation von Produktinnovationen seitens der Kunden von TSMC zu ermöglichen. Die N2-Technologieplattform beinhaltet zusätzlich zur mobilen Compute-Baseline-Version eine Hochleistungsvariante sowie umfassende Chiplet-Integrationslösungen. N2 geht planmäßig im Jahr 2025 in Produktion.

Erweiterung der Ultra-Low-Power-Plattform – Aufbauend auf dem Erfolg der N12e-Technologie, die während des Technologie-Symposiums 2020 angekündigt wurde, entwickelt TSMC N6e, die nächste Evolution im Bereich Prozesstechnologie, die die für Edge-KI und IoT-Geräte erforderliche Rechenleistung und Energieeffizienz bietet. N6e basiert auf dem fortschrittlichen 7nm-Prozess von TSMC und wird voraussichtlich eine dreimal höhere Logikdichte als N12e haben. Es wird Teil der Ultra-Low-Power-Plattform von TSMC sein, einem umfassenden Portfolio von eingebetteten nichtflüchtigen Speichern mit Logik-, RF- und Analog-Funktionalität, sowie Power-Management-IC-Lösungen, die auf Anwendungen im Bereich Edge-KI und Internet der Dinge abzielen.

TSMC 3DFabric™ 3D-Silizium-Stacking-Lösungen – TSMC präsentiert zwei bahnbrechende Kundenanwendungen der TSMC-SoIC™-Chip-Stacking-Lösung:

• Die erste SoIC-basierte CPU der Welt, bei der Chip-on-Wafer (CoW)-Technologie für das Stacking von SRAM als Level-3-Cache zum Einsatz kommt
• Eine bahnbrechende Informationsverarbeitungseinheit, die auf einem Deep-Trench-Kondensator mittels Wafer-on-Wafer (WoW)-Technologie angeordnet ist.

Während N7-Chips sowohl für CoW und WoW bereits in Produktion sind, ist Support für die N5-Technologie ab 2023 vorgesehen. Um die Kundennachfrage nach SoIC und anderen TSMC 3DFabric™-Systemintegrationsdiensten zu erfüllen, wird die erste voll automatisierte 3DFabric-Fabrik der Welt in der zweiten Jahreshälfte 2022 die Produktion aufnehmen.