Samsung Electronics stellt industrieweit erstes Mobile DRAM mit 1 GBit vor

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 27. Dezember 2006 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernster Speichertechnologie, hat den industrieweit ersten Mobile DRAM Chip (Dynamic Random Access Memory) mit einer Speicherkapazität von 1 GBit entwickelt. Das neue Bauteil wird in einer 80-nm-Prozesstechnologie hergestellt und eignet sich für den Einsatz in zahlreichen Mobilgeräten.

Gegenüber anderen High-Density-Lösungen für Mobilgeräte ermöglicht der neue Chip, der auch als Low-Power DDR (Double Data Rate) oder synchrones DRAM bezeichnet wird, die Entwicklung wesentlich wirtschaftlicherer mobiler Geräte wie Mobiltelefone, Digitalkameras, Multimedia-Player und Spielesysteme.

Samsungs monolithisches Mobile DRAM mit 1 GBit Speicherkapazität basiert im Gegensatz zur bisher verwendeten Double-Die Stack-Architektur auf einem einzigen Chip – eine äußerst wettbewerbsfähige Alternative für Mobilgeräte, nicht zuletzt wegen des um 30% geringeren Stromverbrauchs.

Der neue 1Gbit Mobile DRAM Chip wird im gleichen Gehäuse angeboten wie bisherige Double-Die Stack-Lösungen, die jeweils zwei 512-MBit-Chips enthalten, und verfügt zusätzlich über eine neue Funktion zur Ermittlung der Temperatur. Diese neue, temperaturkompensierte Self-Refresh-Funktion maximiert den Self-Refresh-Zyklus und senkt somit gegenüber herkömmlichen Memory-Chip-Designs den Stromverbrauch im Standby um 30%.

Darüber hinaus wird das neue Mobile 1 GBit DRAM in einem kompakteren Formfaktor und mit einer mindestens 20% geringeren Bauhöhe als bisherige Lösungen im Multi-Stack-Gehäuse mit 512-MBit-Dies angeboten. Dies ermöglicht die Entwicklung von High-Density Mobile DRAM Speicherlösungen mit 1,5 oder sogar 2 GBit. Für 2007 rechnen die Experten mit einer steigenden Nachfrage des Marktes nach solchen Speicherlösungen. Samsungs neues 1 GBit Mobile DRAM lässt sich in Multi-Chip-Gehäusen einschließlich Package-on-Package-Designs auch mit Flash-Memory kombinieren.

Die Massenproduktion des neuen 1-GBit-Mobile-DRAM-Chips soll im zweiten Quartal 2007 beginnen. Zu diesem Zeitpunkt rechnet Samsung mit einem sehr hohen Bedarf an High-Density Mobile DRAMs mit 1 Gbit Speicherkapazität.