KIOXIA liefert Muster der neuen UFS-4.1-Embedded-Flashspeicher aus

(Auszug aus der Pressemitteilung)

KIOXIA Europe bietet ab sofort Muster seiner neuen Embedded-Flashspeicher im UFS (Universal Flash Storage)[1]-Format 4.1 an. Das Unternehmen untermauert damit seine Führungsposition im Bereich Hochleistungsspeicher. Die neuen Speicher wurden entwickelt, um den Anforderungen mobiler Anwendungen der nächsten Generation gerecht zu werden – etwa moderne Smartphones mit integrierter KI. Sie bieten eine verbesserte Leistung bei gleichzeitig höherer Energieeffizienz[2] in einem kleinen Gehäuse mit BGA (Ball Grid Array)-Technologie.

Die UFS-4.1-Geräte von KIOXIA verbinden den 3D-Flashspeicher „BiCS FLASH“ mit einem Controller in einem Gehäuse nach JEDEC-Standard. Zum Einsatz kommt die 8. Generation des BiCS FLASH 3D-Flashspeichers[3], mit der das Unternehmen die CBA (CMOS directly Bonded to Array)-Technologie einführt – eine architektonische Innovation, die einen entscheidenden Wandel im Design von Flashspeichern darstellt. Durch die direkte Verbindung der CMOS-Schaltung mit dem Speicher-Array ermöglicht die CBA-Technologie erhebliche Verbesserungen in den Bereichen Energieeffizienz, Leistung und Speicherdichte.

Die UFS-4.1-Speicher von KIOXIA sind darauf ausgelegt, die User Experience zu steigern. Durch die Symbiose aus hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch ermöglichen sie schnellere Downloads und eine reibungslose Performance von Apps. Die Hauptmerkmale der neuen Geräte in der Übersicht:

• Erhältlich mit 256 Gigabyte (GB), 512 GB und 1 Terabyte (TB) Speicherkapazität.
• Leistungsverbesserung gegenüber der vorherigen Generation[2]:
  – Zufälliges Schreiben: 512 GB/1 TB etwa 30 % Verbesserung
  – Zufälliges Lesen: 512 GB etwa 45 % Verbesserung, 1 TB etwa 35 % Verbesserung
• Leistungsverbesserung gegenüber der vorherigen Generation[2]:
  – Lesen: 512 GB/1 TB etwa 15 % Verbesserung
  – Schreiben: 512 GB/1 TB etwa 20 % Verbesserung
• Die vom Host initiierte Defragmentierung ermöglicht eine verzögerte Speicherbereinigung und bietet somit eine unterbrechungsfreie, schnelle Leistung in kritischen Zeiten
• Die Puffergrößenanpassung von WriteBooster bietet mehr Flexibilität für optimale Leistung
• Unterstützt den UFS-Standard in Version 4.1
• Reduzierte Gehäusegröße des Modells mit 1 Terabyte Speicherkapazität im Vergleich zur vorherigen Generation[4]​
• Verwendet den BiCS FLASH 3D-Flashspeicher der 8. Generation von KIOXIA[3]​

„Unsere neuen Embedded-Flashspeicher der UFS-Version 4.1 stellen einen bemerkenswerten Fortschritt da. Mit ihnen untermauert KIOXIA seine Führungsposition im Bereich der Hochleistungsspeicher und sein anhaltendes Engagement, Innovationen im Flashspeicher-Segment voranzutreiben“, betont Axel Störmann, Vice President und Chief Technology Officer für Speicher- und SSD-Produkte bei KIOXIA Europe. „Die neuen Geräte wurden mit der Technologie ‚BiCS FLASH‘ der achten Generation sowie der CBA-Technologie entwickelt. Auf diese Weise erfüllen sie die Anforderung mobiler Anwendungen von morgen, einschließlich geräteinterner KI, womit wir die Grenzen der Vorgängermodelle eindeutig hinter uns lassen.“

Anmerkungen

*Lese- und Schreibgeschwindigkeiten entsprechen den besten Werten, die in einer spezifischen Testumgebung von der KIOXIA Corporation erzielt wurden. Die KIOXIA Corporation garantiert weder Lese- noch Schreibgeschwindigkeiten in bestimmten Geräten. Die Lese- und Schreibgeschwindigkeiten können abhängig vom benutzten Gerät und der einschlägigen Dateigröße variieren.