Samsung testet DDR4-RAM

Samsung testet intern die weltweit ersten DDR4-RAM-Module mit 16 GByte Kapazität für Server. Laut Unternehmen wolle man mit dem neuen Arbeitsspeicher seine Position im Bereich für Geschäftskunden festigen. Die aktuell vorliegenden Module nutzen Chips aus dem 30-Nanometer-Verfahren und bieten Kapazitäten von 8 bzw. 16 GByte. Dank der DDR4-Technik sollen die Bandbreiten von aktuell 1600 Mbps bei DDR3-RAM sich auf mehr als das Doppelte erhöhen. Dennoch sinkt die Spannung von 1,35 auf 1,2 Volt. Der entsprechende JEDEC-Standard für DDR4-RAM soll vermutlich ab August vorliegen.

Samsung will sein Portfolio sogar noch erweitern: Ab 2013 möchte man DDR4-RAM mt Chips aus dem 20-Nanometer-Verfahren anbieten. Die Kapazitäten sollen dann maximal 32 GByte betragen. Preise und Erscheinungsdaten kann Samsung aber aufgrund der noch anstehenden Finalisierung des JEDEC-Standards aktuell nicht nennen.

Quelle: E-Mail