Samsung bemustert 16-GBit NAND-Flash-Memory in 50-nm-Technologie für Solid-State-Disk- und andere High-Density Speicher-Applikationen
Seoul, Korea, 3. Januar 2007 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleitertechnologielösungen, hat mit der Kundenbemusterung seines 16-GBit-NAND-Flash-Memories begonnen. Das neue Bauteil ist das erste NAND-Flash-Memory, das mit einer 50nm...
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