Hynix mit 100nm DDR SDRAM

512Mbit Speicherchips werden bald in 100nm statt 150nm gefertigt

Die Entwicklung der Fertigungstechnologie wird auch von den Speicherherstellern vorangetrieben. Darüber wird nur weniger berichtet als beispielsweise bei der Produktion von Prozessoren und Grafikchips. Während man in diesen Bereichen aktuell bei der Herstellung in 130nm Technologie angekommen ist (Pentium 4, Athlon XP, bald NV30), werden die meisten Speicherchips noch in 150nm gefertigt. Der koreanische Speicherhersteller Hynix hat aber nun angekündigt, noch in diesem Jahr mit der Massenproduktion von 512 Mbit DDR SDRAM Chips in 100nm Technologie zu beginnen. Entsprechende Module sollen in PC-Systemen und Servern eingesetzt werden und in den aktuellen Formaten DDR266, DDR333 und DDR400 erhältlich sein.

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Nach Angaben von Hynix spart man 50% der üblichen Kosten einer solchen Produktionsumstellung ein, da die vorhandenen Gerätschaften verwendet werden können. Außerdem wurde die Produktion im Vergleich mit dem letzten Fertigungs-Upgrade um mehr als 40% erhöht. Durch die feinere Herstellung können nun deutlich mehr Speicherchips pro Wafer gewonnen werden.
Nach den 512Mbit Chips soll die Produktion von 256Mbit und 1Gbit Bausteinen in 100nm Technologie in der ersten Hälfte des nächsten Jahres aufgenommen werden.

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Quelle: Hynix

Frank Schräer

Herausgeber, Chefredakteur und Webmaster

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