Die beiden Speicherhersteller Infineon Technologies aus München und Nanya Technology Corporation aus Taiwan haben gestern die schon seit längerem erwartete strategische Zusammenarbeit bei Standard-Speicherchips (DRAMs) unter Dach und Fach gebracht. Die Verträge sehen die gemeinsame Entwicklung von 90nm und 70nm Fertigungstechnologien für 300mm-Wafer vor, wodurch sich beide Unternehmen die Entwicklungskosten teilen. Außerdem wurde ein Joint-Venture für die Fertigung von DRAM-Bausteinen gegründet, an dem beide Firmen jeweils 50% halten. Gemeinsam soll eine neue Fabrik für die Produktion von Chips auf 300mm-Wafern in Taiwan gebaut werden. Dort sollen dann auch die gemeinsam voraussichtlich in Dresden und München entwickelten Fertigungstechnologien eingesetzt werden. Die 90nm-Produktion in der neuen Fab soll schon Ende 2003 beginnen und bis Mitte 2006 auf eine Kapazität von 50.000 Wafern pro Monat erweitert werden, was dieses Halbleiterwerk zu einem der größten der Welt machen würde. Beide Unternehmen gehen von einem Investitionsvolumen von etwa 2,2 Milliarden Euro in den nächsten drei Jahren aus.
Quelle: Infineon
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