Erster 90-Nanometer 512-MBit-DRAM für Multimedia-Anwendungen kommt von Samsung und wird in PLAYSTATION 3 eingesetzt

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 19. Mai 2005 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei

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modernsten Speichertechnologien, hat die ersten Muster eines 90-Nanometer
XDR™ DRAMs (eXtreme Data Rate) mit 512 MBit produziert. Das Unternehmen
verfügt damit über den bisher schnellsten Speicherbaustein für
Multimedia-Anwendungen.

Samsungs 512-MBit-XDR-DRAM kann Daten mit bis zu 9,6 GByte/s übertragen und
ist damit 12 Mal schneller als DDR400-Speicher sowie 6 Mal schneller als
führende RDRAM® (PC 800) Speicherbausteine. Mit Hilfe modernster
Prozesstechnologien und einer Strukturbreite von 90nm erreicht das neue
XDR-DRAM eine maximale Geschwindigkeit von 4,8 GBit/s bei einer
Versorgungsspannung von 1,8 V.

Optimiert ist der neue Speicherbaustein auf den Einsatz in
hochleistungsfähigen Breitband-Anwendungen, die modernste digitale
Bildverarbeitungs- oder 3D-Grafikfunktionen benötigen. Dazu zählen die
neuesten Spielekonsolen, digitale Fernsehgeräte sowie Server und
Workstations.

Samsungs 512-MBit-XDR-DRAM kommt im interaktiven Home-Entertainment-System
der nächsten Generation, der PLAYSTATION®3 von Sony Computer Entertainment,
zum Einsatz.

Yeongho Kang, Vice President, Memory Marketing, Samsung Semiconductor, sagt:
“Wir haben eng mit Sony Computer Entertainment zusammengearbeitet, um
sicherzustellen, dass das kommende Home-Entertainment-System genau das
enthält, was Sony Computer Entertainment zur Markteinführung der PLAYSTATION
3 wünschte – den schnellsten Systemspeicher mit optimalem thermischem
Verhalten.”

Samsungs 512-MBit-XDR-DRAM basiert auf der
XDR-Speicher-Interface-Technologie von Rambus. Es unterstützt die größte
Vielfalt an Daten-Eingängen und Ausgängen. Der neue Speicherbaustein wird in
x2-, x4-, x8- und x16-Versionen angeboten.

Das Marktforschungsunternehmen IDC prognostiziert für den Markt für
XDR-DRAMs in den nächsten vier Jahren (2006 bis 2009) ein stetiges Wachstum
auf 800 Millionen 256-MBit-äquivalenter Speicherbausteine.