Samsung Electronics entwickelt weltweit ersten 512-MBit-DDR2-Speicher in 70-nm-Prozesstechnologie

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Seoul, Korea, 13. Oktober 2005 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, gibt die erfolgreiche Entwicklung des weltweit ersten , mit einem 70nm-Prozess gefertigten 512Mbit DDR2 bekannt. Die 70-nm-Prozesstechnologie weist die kleinsten Halbleiterstrukturen auf, die jemals zur Produktion von DRAMs verwendet wurden.

Samsungs neue 70-nm-Technologie ist kompatibel zu den 80- und 90-nm-Prozessen, die das Unternehmen heute zur Herstellung der meisten DRAMs verwendet. Gegenüber der 90-nm-Technologie lassen sich mit dem 70-nm-Prozess mindestens 100% mehr Chips pro Wafer herstellen.

Nach dem erfolgreichen Abschluß der Entwicklungsarbeiten an seinem ersten Fertigungsprozess für DRAMs mit Strukturgrössen kleiner als 0.1µm im Jahr 2002 hat Samsung 2003 eine Prozessversion mit Halbleiterstrukturen von 80 nm vorgestellt. Mit seiner heute angekündigten 70-nm-Variante hat das Unternehmen jetzt einen weiteren bedeutenden Meilenstein erreicht.

Zur Entwicklung des neuen 70-nm-Prozesses für DRAMs waren mehrere technologische Innovationen erforderlich. Dazu gehören Samsungs Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitor-Technologie sowie eine 3D-Transistorarchitektur, die unter dem Namen “Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor” (S-RACT) bekannt ist. Diese Weiterentwicklungen, die Samsung auf den VLSI Symposien 2004 und 2005 präsentierte, wurden dazu verwendet, um die Grenzen so genannter “Stacked” DRAM-Zellen zu überwinden und eine signifikant verbesserte Funktion zum Auffrischen von Daten (Data Refresh) zu realisieren – auch wesentlich für die mit dem 70nm-Prozess hergestellen 512-MBit-DRAM.

Auf ähnliche Weise wie es Samsung bei der Vorstellung seines 90-nm-Prozesses Mitte 2004 und bei der Präsentation seiner 80-nm-Technologie im zweiten Halbjahr 2005 getan hat, wird das Unternehmen auch in Zukunft ehrgeizige Pläne verfolgen, um neue DRAM-Technologien in möglichst kurzer Zeit zu entwickeln. Die 70-nm-Prozesstechnologie soll in der zweiten Jahreshälfte 2006 zur Produktion von Speichern mit Kapazitäten von 512 MBit, 1 GBit und 2 GBit verwendet werden.

Das Marktforschungsunternehmen Gartner Dataquest geht in einem Bericht vom Mai 2005 davon aus, dass das weltweite Marktvolumen für DRAMs von 26,2 Mrd. US-$ in diesem Jahr bis 2008 auf 29,1 Mrd. US-$ wächst. Spielekonsolen der nächsten Generation, die unmittelbar vor der Markteinführung stehen, die meisten Mobiltelefone der dritten Generation (3G) sowie Microsofts neues PC-Betriebssystem “Vista” gehören zu den Produkten, die laut Gartner Dataquest zu einer weiter steigenden Nachfrage nach DRAMs führen werden. Außerdem sei davon auszugehen, dass diese Entwicklungen zu weiter diversifizierten Produkten führen und auf dem DRAM-Markt für zusätzliches Wachstum sorgen.