
Im Oktober letzten Jahres hatte Samsung als erster Hersteller Testmuster von GDDR4 (Graphics Double Data Rate 4) SDRAM angekündigt. Diese besaßen jedoch erst eine Kapazität von 256 Mbit und eine Datenrate von max. 10 GByte/s. Heute hat Samsung nun verkündet, in 80nm Technik gefertigte GDDR4 Chips mit 512 Mbit entwickelt zu haben, die mit einer Datenrate von 12,8 GByte/s die schnellsten Grafikspeicherbausteine der Welt sein sollen.
Aktuell auf High-End Grafikkarten eingesetzter GDDR3 Speicher besitzt Zugriffszeiten von bis zu 1.1 Nanosekunden und erlaubt damit einen Speichertakt von 900 MHz (7,2 GByte/s Datenrate). Die von Samsung entwickelten GDDR4 Chips haben dagegen eine Zugriffszeit von nur 0,6 Nanosekunden und vertragen damit Speichertakte von bis zu 1600 MHz.
Wann das 512 Mbit GDDR4 SDRAM marktreif ist, verriet Samsung jedoch noch nicht.
Anfang Dezember hatte auch Konkurrent Hynix GDDR4 SDRAM Chips mit 512 Mbit Kapazität angekündigt. Entsprechende Speicherbausteine für einen Speichertakt von bis zu 1450 MHz sollten in Kürze verfügbar sein.
Quelle: E-Mail
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