Samsung: GDDR4 mit 4 GHz

512 MByte Chips laufen bei 2,1 Volt mit effektiv 4 GHz

Samsung hat einen neuen GDDR4 Speichertyp vorgestellt, der bis zu 40 Prozent höher getaktet werden kann als aktueller Speicher. Speziell handelt es sich um 512 Mbit große Chips, die bei einer Spannung von 2,1 Volt mit effektiv 4 GHz laufen und dabei auf eine Durchsatz von satten 16 GByte/Sekunde kommen. Würde man diesen Speicher auf einer aktuellen Grafikkarte mit 256bit Speicherbus einsetzen, so käme man auf einen Datendurchsatz von rund 128 GByte pro Sekunde.

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Bis dieser im 80nm Prozess gefertigte Speicher jedoch zum Einsatz kommen wird, dürfte noch einige Zeit vergehen. Gerechnet wird frühestens mit dem Jahr 2008. Schließlich gibt es bereits seit längerer Zeit schnellen GDDR4-Speicher, der mit effektiven 2,4 GHz läuft, aber noch nicht zum Einsatz kommt.

Quelle: Xbitlabs

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