Samsung mit GDDR5-Speicher

Samsung fertigt Grafikspeicher im 50 nm Verfahren

Samsung hat die Massenproduktion seines neuen GDDR5-Speichers für Grafikkarten begonnen. Der Konzern nutzt die 50-Nanometer-Fertigung. Die Geschwindigkeit von GDDR5-Speicher ist mehr als doppelt so hoch wie die der GDDR4-Reihe: Die Bandbreite für die Bildberrechnung erhöht sich von 12,8 auf 28 GByte pro Sekunde. Die höheren Geschwindigkeiten entstehen, da GDDR5-RAM nicht mehr die Lese- und Schreibgeschwindigkeit mit mit dem internen Takt synchronisieren muss.

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Durch die Umstellung von 60 auf 50 Nanometer erhofft sich Samsung eine Steigerung der Energieeffizienz um 100 %. Auch die Spannung wurde von 1,8 Volt für GDDR4-Speicher auf 1,35 Volt für die GDDR5-Reihe gesenkt.

Samsung bietet den Speicher in einer 32 Megabit x32 Version oder 64 Megabit x16 an. Laut den Koreanern wird GDDR5-Speicher sich 2009 einen Marktanteil von 20 % sichern. Weiterhin möchte Sammsung seine 50-Nanometer-Fertigung für Grafikspeicher weiter ausweiten.

Quelle: Pressemitteilung

André Westphal

Redakteur

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