Toshiba: Flash-Speicher in 32 nm

Toshiba und SanDisk haben neue NAND-Flash-Speicher-Chips im 32-Nanometer-Verfahren mit einer Größe von 4 GByte vorgestellt. Erste Muster seien laut dem Unternehmen bereits an Partner ausgeliefert worden. Die Massenproduktion soll im September diesen Jahres beginnen. Die neuen Chips basieren auf einer 3-bit-pro-Zelle-Architektur. Auf diese Weise kann Toshiba sehr viele Transistoren auf geringem Raum unterbringen. Zuvor fertigte das Unternehmen Speicher mit 2 bit pro Zelle in 43 Nanometer.

Zunächst liefert Toshiba die Muster-Chips im 32-Nanometer-Verfahren mit einer Größe von 4 GByte. Ab Juli sollen Muster mit 8 GByte verfügbar sein. Im Handel dürfte der neue Flash-Speicher ab dem vierten Quartal 2009 auftauchen.

Toshiba kündigte weiterhin an ab Ende 2010 auch in 20 – 30 Nanometer zu produzieren. Die Verkleinerung des Fertigungsprozesses könnte allerdings weitreichende Änderungen bei der Herstellung mit sich bringen, so dass eventuell erst 2011 mit den ersten Chips zu rechnen ist.

Quelle: Fudzilla