Samsung: 4Gb DDR3 DRAM in 20 nm

Samsung gibt bekannt, dass das südkoreanische Unternehmen begonnen habe den „weltweit fortschrittlichsten DDR3-RAM im 20-Nanometer-Verfahren“ herzustellen. So bietet Samsung in Kürze Chips mit 4 Gigabit aus dem 20-Nanometer-Prozess an, die um 25 % enegieeffizienter sein sollen, als bisherige Pendants aus dem 25-Nanometer-Verfahren. Auch will Samsung bei der Fertigung eine höhere Ausbeute erzielt haben, was an verbesserten Techniken zur Herstellung liege. Diese Produktionstechniken wolle Samsung laut eigenen Aussagen weiterhin einsetzen – etwa in der geplanten 10-Nanometer-Herstellung von DRAM.

Quelle: Samsung