Massenfertigung von HBM2

Samsung hat die Aufnahme der Massenproduktion von 4 GByte HBM2 Chips bekannt gegeben. „High Bandwitch Memory“ der zweiten Generation ist deutlich schneller und bietet künftig deutlich höhere Kapazitäten. HBM der ersten Generation wird aktuell in den Fiji Chips der AMD Radeon R9 Fury und Nano Grafikkarten eingesetzt, aber HBM2 wird auch von Nvidia verwendet werden.

Die neuen 4 GByte HBM2 Chips sind laut Samsung das schnellste DRAM der Welt und mehr als siebenmal schneller als herkömmliches DRAM. Die Koreaner stellen HBM2 im 20-Nanometer-Prozess her.
Die Speicherbandbreite liegt bei 256 Gbit/s pro Chip. Da in den meisten Fällen und auch bei der Radeon R9 Fury/Nano Serie vier Speicherchip eingesetzt werden, kommt man mit HBM2 insgesamt auf eine Bandbreite von 1024 Gbit/s. Bei HBM1 ist es nur halb so viel.
Samsung kündigte außerdem bereits die Produktion von HBM2 Chips mit 8 GByte für dieses Jahr an, was eine Kapazität des im Chip integrierten Speichers von 32 GByte erlauben wird. Allerdings wurde noch kein konkretes Datum genannt.
Die im Laufe dieses Jahres erwarteten AMD Polaris und Nvidia Pascal Grafikchips werden HBM2 einsetzen. Man rechnet mit Kapazitäten von 8 bis 16 GByte – eine deutlich Steigerung gegenüber den 4 GByte HBM der AMD Radeon R9 Fury/Nano Grafikkarten.

Quelle: Samsung