AMD übertrifft mit neuartiger Transistorentwicklung für Mikroprozessoren die Vorgaben der Halbleiterbranche für 2009

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Sunnyvale, Kalifornien, und Tokio, Japan, 18. September 2003 – Forscher von AMD (NYSE: AMD) haben auf der “International

Conference on Solid State Devices and Materials” in Tokio Einzelheiten
einer neuen Triple-Gate Transistorentwicklung präsentiert, die auf
Silicon-on-Insulator-Technologie (SOI) der nächsten Generation sowie
auf fortschrittliche Metal-Gate-Technologie zurückgreift.

AMDs einzigartige Transistorentwicklung erzielt gegenüber bisher
veröffentlichten Forschungsarbeiten an Multi-Gate-Transistoren eine um
bis zu 50% höhere Leistung und übertrifft damit die von der
“International Technology Roadmap for Semiconductors” (ITRS) für
2009 definierten Anforderungen. Aufgrund ihrer hohen Kompatibilität zu
gängigen Fertigungsverfahren betrachtet AMD diese Technologie als
einen der führenden Anwärter für die Serienproduktion ab 2007.

“Dieses neue Triple-Gate-Transistordesign bringt uns einen Schritt
näher zur angestrebten Produktion von Multi-Gate-Transistoren. Es ist
genau diese Art der Forschung, die ermöglicht, unseren Kunden gemäß
eines ehrgeizigen Zeitplans Lösungen mit noch höheren Leistungen als
bisher zur Verfügung zu stellen”, so Craig Sander, AMDs Vice President
of Process Technology Development. “Die heute präsentierte Multi-
Gate-Transistor-Implementierung ist höchst kompatibel zu gängigen
Fertigungstechniken und verbessert unsere Möglichkeiten zur Überführung
dieser Technologie in die Serienproduktion.”

Die primären Funktionselemente eines Mikrochip, die Transistoren, sind
mikroskopisch kleine Schalter zum Ein- und Ausschalten von
elektrischen Strömen, die durch Halbleiter fließen. Eine höhere Leistung
bzw. Schaltfrequenz von Transistoren hat einen erheblichen Einfluss auf
die Leistungsfähigkeit von Mikroprozessoren.

Technische Details
Bei AMDs neuartiger Transistorentwicklung ist ein einzigartiger,
ultradünner und in “Fully Depleted” Silicon-on-Insulator-Technologie
(FDSOI) realisierter elektrischer Pfad an drei Seiten von Metal-Gates
aus Nickel-Silicide umgeben. Diese Kombination aus FDSOITechnologie
und Nickel-Silicide Metal-Gates sorgt für eine “Streckung”
des Siliziumgitters innerhalb des elektrischen Pfads und verbessert so
die Mobilität der Ladungsträger.

Darüber hinaus erhöht die Multi-Gate-/FDSOI-Struktur die effektive
Breite des elektrischen Pfads im Transistor und ermöglicht zugleich eine
verbesserte Steuerung des Stromflusses. Aufgrund dieser Faktoren
lassen sich höhere Durchlassströme, niedrigere Sperrströme und
kürzere Schaltvorgänge erzielen und die Gesamtleistung eines
Transistors drastisch steigern.

Weitere Einzelheiten zu diesen Forschungsarbeiten sind unter
www.amd.com/SSDM beschrieben.

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