Samsung: 128GB-DDR4-Module

Mehr Speicher gefällig? Samsung hat bekannt gegeben, dass man die Massenproduktion von DDR4-Speichermodulen mit einer Kapazität von 128 GByte aufgenommen hat. Erreicht wird dies durch die „Through Silicon Via“ (TSV) Technologie, die einen schnelleren Datentransfer bei vier aufeinander gestapelten DDR4-RAM-Chips ermöglicht.

Vier in 20-Nanometer-Technologie gefertigte Speicher-Chips mit jeweils 8 Gigabit werden gestapelt, jeweils in einem DRAM-Gehäuse untergebracht und 36 davon werden schließlich auf das Modul gesetzt.
Samsung wird die 128-GByte-Module als „registered dual inline memory module“ (RDIMM) für Server und Rechenzentren auf den Markt bringen, die hohe Speicherkapazitäten benötigen. Als Geschwindigkeiten nennt Samsung zunächst bis zu DDR-2400, stellte aber schon DDR4-2667 und DDR4-3200 in Aussicht.

Quelle: Samsung