MRAM die Zukunft?

MRAM’s (Magnetic Random Access Memory) könnten die Speicher der Zukunft darstellen, wenn es nach Infineon und IBM geht. Um dieses Vorhaben zu beschleunigen, haben sich die Firmen auf eine Zusammenarbeit geeingt. Wie der Name schon sagt, nutzt diese Technologie magnetische (anstatt elektronische) Ladungselemente um die Daten zu speichern.

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Die Vorteile hierbei sind:
Schnellere Speicherung und schnellerer Zugriff auf die Daten im Speicher. Was aber viel interessanter ist, die Daten sind Speicherresistent. Wenn der PC also ausgeschaltet wird, sind die Informationen beim Einschalten immer noch vorhanden und der Bootvorgang entfällt somit. Desweiteren ist keine ständige Energiezufuhr mehr nötig, d.h. die Leistungsaufnahme kann verringert werden. Normalerweise muss der Speicher immer wieder aufgefrischt (Refresh) werden, da die Daten sonst ins Nirvana verschwinden würden. Dies geschieht üblicherweise einige Male in der Sekunde. Der daraus entstehende niedrigere Verbrauch kann vor allem bei Laptops zu einer wesentlich längeren Akku-Laufzeit beitragen.
Dieser Magnetische Speicher vereint also die Vorteile der SRAMs (hohe Geschwindigkeit), DRAMs (hohe Dichte bzw. Kostenersparnis) und Flash-Speicher (nicht flüchtig) in sich. Wenn alles so läuft wie IBM und Infineon es sich vorstellen, dann ist 2004 mit ersten kommerziellen MRAM-Modulen zu rechnen.
IBM, Infineon und UMC haben auch noch angekündigt, dass sie angefangen haben, ihre Chips in der 0.13µm-Technik zu produzieren. Natürlich wird schon jetzt über die Entwicklung von 0.10µm nachgedacht, zumindest ist man sich einig, dass man zusammen daran arbeitet.

Quelle: Electic Tech

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