Intel hat mit dieser Pressemitteilung bekanntgegeben, dass die Forscher aus den eigenen Labors Transistoren mit einer Strukturgröße von 20 Nanometern angefertigt haben. Damit wird Intel nach eigenen Angaben in die Lage versetzt, im Jahre 2007 Prozessoren herzustellen, die eine Milliarde Transistoren beinhalten, 20 Gigahertz schnell sind und mit weniger als 1 Volt betrieben werden.
Interessant ist aber vor allem, dass diese Bauteile noch in herkömmlichem Silizium gefertigt wurden. Mancherorten wurde angezweifelt, dass es möglich sei, so kleine Transistoren aus diesem Material herzustellen und dass man für die Nanotechnologie auf andere Materialien zurückgreifen müsste. Allerdings dürfte nun lansgsam Schluss sein, denn die Gate Oxidschicht dieser Transistoren ist nicht höher als 3 Atomlagen!
Hintergründe zur Mikroprozessor- und Speicherfertigung könnt ihr auch diesem (mittlerweile etwas überholtem 😉 Report entnehmen.
Quelle: E-Mail
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