Neues von der Speicherindustrie

Von neuen Produkten und Produktionskürzungen

Auf dem von Nachfragerückgängen und niedrigen Preisen gebeutelten Speichermarkt tat sich in den vergangenen Tagen so einiges. Zu Produktankündigungen gesellen sich erstmals auch drastische Kürzungen der Produktionsmenge, die den Speicherpreis stabilisieren sollten. So kündigte Japans größter Speicherhersteller Toshiba an, ab Ende September den DRAM-Produktionsausstoß um 60% kürzen zu wollen. Dazu werde u.a. eine komplette Fertigungsstrasse in Toshibas größter Fabrik geschlossen.

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Der weltweite größter Speicherproduzent Hynix kündigte schon vor einiger Zeit an, 20% weniger Chips produzieren zu wollen.
Der wie Toshiba aus Japan stammende Konkurrent NEC will einen anderen Weg gehen. Bis 2004 soll die komplette DRAM-Fertigung an das zusammen mit Hitachi betriebene Joint Venture Elpida übergeben werden. Das Unternehmen wird dann im Zuge eines Börsengangs verkauft.

Von Hitachi selbst kamen noch keine dahingehenden Äußerungen. Stattdessen berichtete man von der Entwicklung eines besonders stromsparenden SDRAM-Chips mit geringerer Zugriffszeit. Die „SDRAM Mode Control Scheme“ genannte Technologie soll den Stromverbrauch um 40% und die Zugriffszeit sogar um 49% senken. Die Technologie soll angeblich auch in Prozessoren verwendet werden können.

Samsung, der größte RDRAM-Hersteller der Welt, hat sich mit der Optimierung des Produktionsprozesses beschäftigt. Ab sofort werden 256MBit-RDRAM-Chips im 0,15µ-Verfahren hergestellt. Bisher waren in 0,17µ produzierte 128MBit-Chips das höchste der Gefühle. Die neuen Chips bringen gleich mehrere Vorteile mit sich. Zum einen sinkt der Stromverbrauch, was bei den „heißen“ RDRAM-Chips nicht verkehrt sein kann. Weiterhin kann Samsung die neuen Chips höher takten als die alten. Von bis zu einem Gigahertz ist die Rede. Gemeint sind hier vermutlich 533MHz. Da RDRAM die DoubleDataRate-Technologie (DDR) nutzt, kommt man auf effektiv 1066MHz. An eben dieser Geschwindigkeit arbeitet Rambus schon einige Zeit. Im nächsten Jahr sollen die 1066MHz-Module marktreif sein.
Ein weiterer, nicht zu unterschätzender Vorteile, sind die nun möglich gewordenen größeren Module. Bislang konnte man nur 256MB-Module herstellen, mit den neuen Chips werden theoretisch erstmals auch 512MB-Module möglich.
Schlußendlich sinken auch noch die Herstellungskosten um 30%. War ein 128MBit Chip bislang noch ganze 29% größer als ein 128MBit SDRAM-Chip, sind die neuen 256MB Chips nur noch 9% größer als die SDRAM-Konkurrenz. Diese Ersparnis wird sicherlich früher oder später auch dem Endkunden zugute kommen.

Bis Ende des Jahres möchte Samsung den Produktionsprozess weiter verfeinern. 0,13µ sollen dann möglich sein. Im ersten Halbjahr 2002 erwartet uns dann Samsungs Eigenentwicklung 4i. 4i-Module kommen mit nur 4 Speicherbänken aus, während bisherige Designs 32 Bänke nutzen. Änderungen am Chipdesign liessen die Speicherchips bedeutend schrumpfen. 4i-Chips sollen 3% kleiner sein als DDR-RAM Chips, die Produktionskosten sollen sogar 10% unter denen von DDR-RAM liegen. Auf die Performance wirkt sich das Design angeblich nur unbedeutend negativ aus. Schwerer wiegt da schon die Tatsache, dass 4i nicht mit bisherigen Chipsätzen laufen wird.

Samsung stellt jedoch nicht nur RDRAM her. Man ist ebenso stark bei DDR-RAM engagiert. Ende des Jahres sollen erste Muster der neuen PC2700 Speicherchips fertig sein. Diese arbeiten mit einer Taktfrequenz von 166MHz und damit knapp 29% schneller als die bisherigen 133MHz Chips. Im ersten Halbjahr 2002 beginnt die Massenfertigung.

RDRAM Speicherchip

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