DDR-II SDRAM von Infineon

Hersteller zeigt erstes 110nm Silizium von DDR-Speicher der 2. Generation

Chiphersteller Infineon Technologies AG hat gestern über die Entwicklung verschiedener Speicherprodukte informiert. Dazu gehört auch, dass das Münchner Unternehmen mittlerweile die ersten DDR-II SDRAM Bausteine gefertigt hat. Der Double Data Rate Speicher der zweiten Generation benötigt weniger Spannung und erlaubt höhere Taktfrequenzen, allerdings auf Kosten größerer Latenzzeiten.

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Die jetzt von Infineon als Muster produzierten DDR-II Chips basieren schon auf dem 110nm Fertigungsprozess. Der Hersteller erwartet, dass DDR-II Komponenten im nächsten Jahr auf den Markt kommen werden. Anfangs rechnet man mit Datenübertragungsraten von 400, 533 und 677 Mbit/s (DDR400, DDR533, DDR667). Ein DDR-II Speichermodul mit 533Mbit/s bietet eine Bandbreite von 4.3 GB/s. Aufgrund der bereits erwähnten höheren Latencies dürfte DDR-II SDRAM bei gleichem Takt aber etwas langsamer sein als DDR-I SDRAM Module.

Quelle: SiliconStrategies.com

Frank Schräer

Herausgeber, Chefredakteur und Webmaster

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