Samsung Electronics entwickelt Gehäuse mit kleiner Bauform für mobile Applikationen, die höchste Kapazitäten erfordern

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Schwalbach/Ts., 5. September 2003 – Samsung Electronics, der weltweit

führende Hersteller von modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat
einen Double-Data-Rate-SDRAM mit einer Speicherkapazität von 1 GBit
vorgestellt, in dessen Chip-Scale-Package (CSP) zwei DDR-SDRAMs mit einer
Kapazität von jeweils 512 MBit integriert sind. Die neue Gehäuselösung
verdoppelt die Speicherkapazität und entspricht gleichzeitig den
Anforderungen mobiler Applikationen und High-End-Servern, die nach höheren
Kapazitäten und kleineren Bauformen verlangen.

“Das neue CSP ist Teil von Samsungs Strategie, die Systemhersteller dabei
zu unterstützen, auf Basis modernster Speicher- und Gehäuselösungen die
Leistungsfähigkeit zu maximieren und die Produktionseffizienz zu steigern“,
sagt Werner Diesing, Vice President Memory und TFT-LCD Marketing in Europa.
“Unsere 512-MBit-DDR-SDRAMs ermöglichen den Aufbau neuer 1-GBit-DDR-CSPs,
die eine höhere Speicherkapazität in kleineren Gehäusen bieten, wie sie
insbesondere für Anwendungen in mobilen Systemen höchster Speicherkapazität
erforderlich sind.”

Der DDR-CSP von Samsung ist in DDR-266- and DDR-333-Versionen erhältlich und
nimmt eine Fläche von lediglich 11,5 x 12 mm² ein. Er entspricht den
DDR-CSP-Ball-Pitch-Spezifikationen der JEDEC (0.8mm/1.0mm) und eignet sich
für den Einsatz in einer Vielfalt von Systemen, die derzeit mit DDR-CSPs
ausgerüstet sind.

Da Samsung die zwei Dies vertikal übereinander gestapelt hat, verbessert die
CSP-Lösung die Leistungsfähigkeit und die Effektivität von
High-End-Applikationen, bei denen es auf möglichst geringen Platzverbrauch
ankommt. Dieses Konzept läßt sich weiterentwickeln: Zwei
1-GBit-DDR-SDRAM-Dies ergeben ein DDR-CSP mit einer Kapazität von 2 GBit.

Samsung Electronics