Fraunhofer-Center Nanoelektronische Technologien CNT feierlich eröffnet

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Der Sprung von der Mikro- zur Nanoelektronik ist eine große Herausforderung für die Halbleiterindustrie. Am Fraunhofer-Center Nanoelektronische Technologien CNT in Dresden entwickeln Wissenschaft und Wirtschaft in Public Private Partnership gemeinsam neue Prozesstechnologien für die Nanoelektronik. Am 31. Mai 2005 fand die feierliche Eröffnung mit Gästen von Bund, dem Freistaat Sachsen, der Wissenschaft und Wirtschaft statt.

»Das Fraunhofer-Center Nanoelektronische Technologien CNT stehtmodellhaft
für eine neue Art der Verzahnung von Forschung und
Fertigung», hebt Dr. Alfred Gossner, Vorstand der Fraunhofer-Gesellschaft,
auf der Eröffnung des CNT hervor. »Nur durch gemeinsame
Anstrengungen von Wissenschaft und Wirtschaft haben wir in
Deutschland eine Chance, so große technologische Herausforderungen
wie den Übergang zur Nanoelektronik mitzugestalten.« Das CNT
erweitert die Kompetenzen des Fraunhofer-Verbunds Mikroelektronik
gemeinsam mit führenden Halbleiterherstellern in der Technologieentwicklung.
So ist das CNT Teil der europäischen Initiative ENIAC
(European Nanoelectronic Initiative Advisory Council) zur Stärkung
der Nanoelektronik. »Wie IMEC in Belgien und LETI in Frankreich
wird das CNT direkt mit der Industrie zusammenarbeiten«, beschreibt
Dr. Gossner die europäische Antwort auf Initiativen wie Sematech
in USA und Selete in Japan. »Mit dem CNT wird Dresden zu
einem wichtigen Forschungsstandort für Nanoelektronik in Europa.«

Im August des vergangenen Jahres hatten die Partner – Fraunhofer-
Gesellschaft, Infineon Technologies AG und Advanced Micro Devices
Inc. (AMD) und die Förderer Bundesforschungsministerium sowie der
Freistaat Sachsen – die Absichtserklärung zur Gründung des Fraunhofer
CNT unterschrieben. Nach nur neun Monaten kann das CNT
nun feierlich eröffnet werden. »Für das CNT stehen auf dem Dresdner
Fertigungsgelände von Infineon 800 m² Reinraumfläche sowie eine
Infrastruktur, die Industriestandard entspricht, zur Verfügung«,
freut sich Dr. Peter Kücher, der Leiter des CNT, über den Aufbau
nach Plan.

Ziel ist es, die Synergien zwischen Forschung, Entwicklung und Fertigung
von Prozesstechnologien für die Nanoelektronik am Standort
Dresden maximal zu nutzen. »Mit dieser Forschungsplattform haben
wir die Möglichkeit, innovative Prozesslösungen schnell und effizient
zu entwickeln und direkt in die Fertigungsumgebung zu transferieren
«, beschreibt Dr. Andreas von Zitzewitz, Mitglied des Vorstands
von Infineon, die Vorteile für die Wirtschaft. »Bei den kurzen Produkt-
und Technologielebensdauern in der zyklischen Halbleiterindustrie
und den rasch wachsenden Entwicklungskosten ist dies eine
der kritischsten Aufgaben, die vorzugsweise durch enge Kooperation
in Forschung und Entwicklung gelöst werden kann.«

Die Halbleiterhersteller stehen derzeit vor der Herausforderung, die
Strukturen bis unter 50 Nanometer weiter zu verkleinern und diese
Innovationen schnell in die Fertigung zu implementieren. Die Halbleitertechnologie
ist eine wichtige Grundlage für die Entwicklung in
vielen anderen Branchen. Sie erschließt neue Produkte und Märkte.
Nanoelektronische Technologien werden so zu einer umfassenden
Basistechnologie.

Dresden bietet in Deutschland mit der laufenden 300-mm-DRAMFertigung
der Infineon AG und den beiden Mikroprozessor-Werken
von AMD ausgezeichnete Standortbedingungen für eine partnerschaftlich
betriebene Forschungsplattform für Nanoelektronik. »Das
CNT wird die effiziente Entwicklung neuer Technologiegenerationen
voran treiben – und dies immer aus dem Blickwinkel des Endkunden
«, sagt Dr. William Siegle von AMD. »Kundenorientierung ist der
Kern der AMD-Strategie. Darauf sind auch die Projekte des CNT zugeschnitten:
Sie ermöglichen uns fertigungsnahe Technologieforschung,
die uns bei der Produktion von innovativen und anwendungsorientierten
Mikroprozessoren unterstützen«. In den Reinräumen
des CNT können die Industriepartner Infineon und AMD zusammen
mit Fraunhofer-Forschern, der TU Dresden und weiteren
Instituten Prozesstechnologien für die Fertigung der Nanoelektronik
entwickeln. Das CNT ist offen für die Zusammenarbeit mit Material
und Geräteherstellern.

Insgesamt investieren Unternehmen und Staat zusammen erneut
700 Mio Euro in den Ausbau des Nanoelektronikstandorts Deutschland.
Ein Drittel dieser Mittel stammen vom Bund, dem Land und
der EU. Neben den Gebäudekosten unterstützen das BMBF und der
Freistaat Sachsen die neue Fraunhofer-Einrichtung in den nächsten
fünf Jahren mit Zuschüssen von insgesamt 80 Mio Euro für die Anlagen
Erstausstattung. Die Industriepartner planen in diesem Zeitraum
Forschungsprojekte von rund 170 Mio Euro, die vom BMBF, dem
Freistaat Sachsen und der EU-Kommision mit 85 Mio Euro gefordert
werden. Bundesforschungsministerin Edelgard Bulmahn: “Das CNT
ist eine von Staat und Wirtschaft getragene Zukunftsinvestition, von
der nicht nur die Menschen in Dresden, sondern auch in ganz
Deutschland profitieren werden. Das CNT wird anwendungsnahe
Spitzenforschung mit Hilfe der BMBF-Forderung nicht nur betreiben,
sondern auch unmittelbar in Innovationen . und damit in Arbeitsplatze
. umsetzen.” Sachsens Ministerprasident Georg Milbradt hob
hervor: “Der Freistaat Sachsen beteiligt sich umfassend an der Forderung
des CNT. Als Einrichtung von Unternehmen und Wissenschaft
ist es ein entscheidender Baustein fur die Zukunft des Halbleiterstandorts
Dresden. Heute reden wir uber Mikroelektronik, an ihre
Stelle wird morgen die Nanoelektronik treten. Die atemberaubend
schnellen Entwicklungen machen es wichtig, Forschung, Ausbildung
und Fertigung so eng wie moglich zu vernetzen. Der Ausbau des
High-Tech-Standorts Sachsen hat weiterhin meine volle Unterstutzung.” Die Vertragsvereinbarung fur das CNT sieht zunachst eine
Laufzeit von funf Jahren vor, an deren Ende eine gemeinsame Evaluation
stehen wird. Fraunhofer-Gesellschaft und Industriepartner streben
den Betrieb einer dauerhaft betriebenen Forschungsplattform
an. Entscheidend fur die Fortsetzung werden Erfolg und Marktentwicklungen
auf der einen und die Entwicklung der Forderlandschaft
auf der anderen Seite sein.

Schwerpunktthemen sind die Bearbeitung ausgewahlter Prozessschritte
fur die Fertigung von high-density-Speicherbausteinen sowie
high-performance-Transistoren. Die Fraunhofer-Gesellschaft wird vor
allem die Kompetenz ihrer Institute in den Bereichen Material- und
Schichtsysteme, Basisprozesse, Aufbau- und Verbindungstechnologien,
Entwurfstechniken und Lithografie einbringen. Nahezu 100
Entwicklungs- und Fertigungsingenieure der Industriepartner sowie
wissenschaftliche Mitarbeiter der Fraunhofer-Gesellschaft werden im
CNT innovative Losungen fur die Nanoelektronik erarbeiten.

Der Leiter des CNT, Dr. Peter Kucher, kennt aus seinen fruheren Tatigkeiten
fur Infineon die Anforderungen der Chipindustrie. So hat
er gemeinsam mit IBM und Toshiba in East Fishkill, New York den ersten
256Mbit Chip in 0,25µm Technologie entwickelt, die weltweit
erste 300-mm Linie in Dresden geleitet und zuletzt als Geschaftsfuhrer
der Infineon Technologies Flash GmbH den Aufbau des Geschaftsgebiets
verantwortet.

Dr. Kücher sieht in der Siliziumtechnologie noch großes Potenzial.
Neue Erkenntnisse auf dem Feld der Lithographie ermöglichen es
immer wieder, wesentliche Hürden auf dem Weg zur Strukturverkleinerung
zu überwinden. »Jüngster Hoffnungsträger ist die Immersions-
Lithografie, die bisher in der Mikroskopie eingesetzt wurde,
aber nun für die Serienproduktion der Chips entdeckt wurde«, erklärt
Dr. Kücher. »Sie erlaubt mit den derzeitigen Lichtquellen von
193 Nanometer Wellenlänge noch jenseits von 90 Nanometer Strukturbreite
zu fertigen«. Wegen der hohen Kosten müssen Entscheidungen
über die Weiterführung oder das Einstellen von Entwicklungen
möglichst früh getroffen werden. »Gleichzeitig dürfen wir uns
nicht nur auf die vermeintlich logischen Folgeentwicklungen konzentrieren,
sondern müssen Alternativen erarbeiten«, weiß Kücher.
Denn vom technisch Möglichen wird sich nur das durchsetzen, was
am wirtschaftlichsten realisierbar ist. Das CNT in Dresden wird gemeinsam
mit Infineon und AMD alles tun, damit innovative Halbleitertechnologien
zukünftig noch öfter das Prädikat »Made in Germany« tragen.