NAND-Flash mit 200 MByte/sec

DDR hält auch bei Flash Einzug

Intel und Micron betreiben gemeinsam das Flash-Joint-Venture IM Flash Technologies. Die Zusammenarbeit brachte unter anderem SLC-Flash-Speicher mit einer Leserate von bis zu 200 MByte die Sekunde und einer Schreibgeschwindigkeit von rund 100 MByte die Sekunde hervor. Als Schnittstelle für diese Chips wird die Version 2.0 des „Open NAND Flash Interface“ (ONFI)-Standards eingesetzt.

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Dieser unterstützt bereits die Double Data Rate (DDR)-Technologie für Flash-Speicher, welche analog zu DDR bei DRAM funktionieren soll. Die Produktion der schnellen Chips mit einem Gigabyte an Kapazität soll noch diesen Sommer anfangen.

Für das nächste Jahr ist die Entwicklung von Multi Level Cell (MLC)-Pendants geplant. Diese könnten eine höhere Speicherdichte aufweisen, ob sie aber die gleichen Geschwindigkeiten erreichen ist eher unwahrscheinlich.

Quelle: CW

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