Qimonda startet kommerzielle Fertigung seiner innovativen Buried Wordline-DRAM-Technologie

(Auszug aus der Pressemitteilung)

Nov 5, 2008 – München – Die Qimonda AG (NYSE:QI), ein weltweit führender Anbieter von Speicherchips, hat heute den Start der kommerziellen Fertigung von DRAM-Chips auf Basis seiner neuen Buried Wordline-Technologie bekannt gegeben. Qimondas Umsatz im Oktober enthielt bereits die ersten Verkäufe von 1-Gbit-DDR2-Speicherchips mit Strukturbreiten von 65 nm, die mit dieser neuen Technologie produziert wurden. Darüber hinaus hat Qimonda mit der Buried Wordline-Technologie die ersten Chips der nächsten Generation mit 46 nm-Strukturbreite hergestellt und den wahrscheinlich weltweit kleinsten 2G-DDR3-Chip mit dieser Technologie produziert. Die innovative Buried Wordline-DRAM-Technologie von Qimonda kombiniert hohe Leistungsfähigkeit, niedrigen Stromverbrauch und kleine Chipgrößen. Sie wird damit die weitere Entwicklung des Produktportfolios des Unternehmens vorantreiben, das sich nun auf DRAMs für Infrastruktur- und Grafikanwendungen konzentriert.

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„Mit dem Start der kommerziellen Fertigung für unsere Buried Wordline-Technologie mit 65 nm Strukturbreiten haben wir einen wichtigen Meilenstein unserer Technologie-Roadmap erreicht“, sagte Kin Wah Loh, Vorstandsvorsitzender der Qimonda AG. „Wir konnten die Zahl der Wafer-Starts für die neue Technologie mit 65 nm-Strukturbreiten in unserer Hauptfertigung in Dresden auf mehrere Hundert pro Monat steigern und planen in den kommenden Monaten die Umrüstung weiterer Kapazitäten. Die 65 nm-Fertigung hat sich als sehr effizient erwiesen und die Rückmeldung der Kunden, die bereits Muster erhalten haben, war sehr positiv, insbesondere in Bezug auf den geringen Stromverbrauch unserer neuen Buried Wordline-Technologie. Darüber hinaus konnten wir vor dem geplanten Termin die ersten Chips der nächsten Generation mit 46 nm- Strukturbreiten fertigen und liegen damit sehr gut im Plan für den Start der Massenproduktion Mitte 2009. Diese Strukturbreite ermöglicht mehr als doppelt so viele Bits pro Wafer im Vergleich zur 65 nm-Technologie und ist für uns damit ein bedeutender Schritt auf dem Weg zu unserem Ziel der Technologieführerschaft in der Fertigung.“

Qimonda hatte im Februar 2008 eine neue Technologie-Roadmap und die ersten Funktionsmuster auf Basis seiner innovativen Buried Wordline-Architektur präsentiert. Diese Architektur kombiniert die stromsparenden Vorteile von Qimondas früherer Trench-Technologie mit einem Standard-Stack-Kondensator, der in der DRAM-Industrie weit verbreitet ist. Für die neue Technologie nutzt Qimonda seine Erfahrung bei den Ätz- und Füllverfahren für Strukturen in Silizium-Wafern. Mit dem Buried Wordline-Konzept ist ein Durchbruch in der DRAM-Zell-Technologie gelungen, weil es die Herstellung vollständig vertikaler Zellen erlaubt. Darüber hinaus ermöglicht die Buried Wordline-Technologie eine Reduktion der Zellgrößen auf nur 4F² (dabei entspricht die Zell-Oberfläche nur dem Vierfachen der kleinsten Struktur-Größe des Chips). Die erste Generation der 65 nm-Buried Wordline-Technologie reduziert bereits die Zellgröße auf 6F² gegenüber 8F² bei der 75 nm-Technologie, die zurzeit in der Volumenproduktion bei Qimonda eingesetzt wird. In Kombination mit der kleineren Feature-Größe ermöglicht die 65 nm-Technologie eine Erhöhung der Bits pro Wafer um mehr als 40 Prozent gegenüber der 75 nm-Trench-Technologie. Die 46 nm-Technologie mit einer Zellgröße von 6F² wird dann gegenüber der 65 nm-Buried Wordline-Technologie mehr als die doppelte Anzahl Bits pro Wafer ermöglichen. Das entspricht einer Steigerung von 200 Prozent gegenüber der 75 nm-Technologie.

Ein Teil der Entwicklung der Buried Wordline-Technologie wurde im Rahmen der Technologieförderung mit Mitteln des Europäischen Fonds für regionale Entwicklung (EFRE) und mit Mitteln des Freistaates Sachsen gefördert.

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