Samsung 32 GByte DDR3-Module

Mehrere Chips übereinander verbaut

Samsung hat die ersten Arbeits-Samples eines DDR3-Speichermoduls mit 32 GByte herstellen können. Dieser besteht aus mehreren Speicherchips mit 30nm Strukturbreite, die über eine „through silicon via“ (TSV) genannte Technologie verbunden werden. Dabei kommen nicht wie bisher Drähte zum Einsatz, sondern es werden für die Verbindung winzige Löcher ausgefüllt. Jeder Chip hat dabei eine Kapazität von 4 GBit. Durch das neue Verfahren sollen die Module besonders energiesparend arbeiten. Samsung gibt den Verbrauch mit 4,5 Watt an. Gedacht sind die Module für Server, wann sie auf den Markt kommen ist noch nicht bekannt.

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Quelle: Businesswire

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