Handy laden: 80 % in 35 Minuten

Qualcomm Quick Charge 3.0 verwendet mehr Spannungsstufen

Der US-amerikanische Mobilchip-Spezialist Qualcomm hat seine Schnell-Lade-Technik verbessert – jetzt sind wir bei Quick Charge 3.0 angekommen. Diese soll Smartphones bis zu viermal schneller aufladen als herkömmliche Techniken. Im Vergleich zur Version 2.0 soll 3.0 immerhin bis zu 38 % effizienter sein. Quick Charge basiert auf der Verwendung unterschiedlicher Spannungsstufen beim Aufladen.

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Neu an Quick Charge 3.0 ist ein Feature, dass Qualcomm Intelligent Negotiation for Optimum Voltage nennt. Der Prozessor des Mobilgeräts bestimmt hierbei, welche Spannung bei welchem Ladestand ideal ist, um damit das Aufladen effizienter zu machen, da Verluste beim Laden reduziert werden.
Quick Charge 2.0 hatte vier Spannungsstufen: 5, 9, 12 und 20 Volt. Version 3.0 ist nun wesentlich flexibler. Der Spannungsrahmen reicht nun von 3,6 bis 20 Volt in 200-mV-Stufen.
Qualcomm zeigt im Beispielvideo ein Smartphone mit einem Akku mit einer Kapazität von 2750 mAh. Mit einem herkömmlichen Ladegerät mit 5 Volt und 1 Ampere beträgt der Ladestand nach 30 Minuten lediglich 18 %. Mit Quick Charge 2.0 wird das auf über 60 % gesteigert, bei Version 3.0 sogar auf über 70 %.

Um Quick Charge 3.0 nutzen zu können, müssen wie bei den vorherigen Generationen sowohl Mobilgerät als auch Ladegerät das Feature unterstützen. Andere Ladegeräte können das Smartphone natürlich auch laden, aber dann eben langsamer. Für die Verbindung sind USB, Micro-USB und auch USB Type-C geeignet.
Laut Qualcomm wird Quick Charge 3.0 von den neuen Snapdragon 820, 620, 618, 617 und 430 SoC unterstützt, so dass man im Laufe des nächsten Jahres mit einer Reihe von Smartphones und Tablets mit diesem Feature rechnen darf.

Ausschnitt aus Qualcomm Video

Quelle: Qualcomm

Frank Schräer

Herausgeber, Chefredakteur und Webmaster

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