Samsung kündigt GDDR6 für 2018 an

In einer kurzen Mitteilung zur CES 2018 im Januar in Las Vegas hat Samsung neue GDDDR6 Speicherchips mit 16 Gbit angekündigt. Diese sollen bei geringerer Betriebsspannung eine Verdopplung der Transferleistung im Vergleich zu aktuellem Grafikspeicher (GDDR5) bieten. GDDR6 wird vermutlich im Laufe des nächsten Jahres auf den ersten Grafikkarten zu finden sein.

Konkurrent Micron hatte GDDR6 schon für dieses Jahr in Aussicht gestellt und Hynix hatte sogar die ersten Grafikkarten mit GDDR6 für Anfang 2018 versprochen, aber so schnell wird der Umstieg von GDDR5 bzw. GDDR5X vermutlich nicht gehen.

Die von Samsung angekündigten GDDR6 Speicherchips besitzen eine Kapazität von 2 GByte und benötigen lediglich 1,35 Volt. Pro Pin verspricht Samsung einen Datentransfer von 16 Gbit/s bzw. eine Speicherbandbreite von 64 GByte/s pro Chip. Bei den typischen 8 GByte Grafikspeicher mit 4 dieser Chips käme man damit auf insgesamt 256 GByte/s – bei 16 GByte VRAM entsprechend mehr. Zum Vergleich: GDDR5X bietet pro Chip einen Datentransfer von bis zu 10 Gbit/s und Kapazitäten zwischen 512 MByte und 2 GByte, benötigt aber eine Versorgungsspannung von 1,5 Volt, kann diese allerdings im Low-Power-Modus auf 1,35 Volt reduzieren.

Auf der CES Anfang Januar in Las Vegas oder auf einer eigenen GTC (GPU Technology Conference) im März 2018 wird Nvidia voraussichtlich die nächste Generation von GeForce Grafikkarten auf Basis von Volta präsentieren und es wäre keine Überraschung, wenn diese dann mit GDDR6 ausgestattet werden.

Quelle: Samsung