(Auszug aus der Pressemitteilung)
Kioxia Corporation, eine Tochtergesellschaft der Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A), und die SanDisk Corporation (Nasdaq: SNDK) gaben heute den Produktionsstart für ihre 3D-Flash-Speichertechnologie der 10. Generation in Fab2 (K2) im Kitakami-Werk in der Präfektur Iwate in Japan bekannt. Dieser Meilenstein erfolgt zu einem Zeitpunkt, an dem die Unternehmen weiterhin ein bedeutendes, über mehrere Jahre hinweg anhaltendes Bit-Wachstum vorantreiben, um der starken Nachfrage nach ihrer innovativen Flash-Speichertechnologie gerecht zu werden.
Anlässlich des Produktionsstarts veranstalteten die Unternehmen eine Einweihungsfeier für die K2-Anlage. Die im September 2025 eröffnete Anlage hat bisher die 3D-Flash-Speicherprodukte der 8. Generation der Unternehmen hergestellt und wird mit der Einführung der Produkte der 10. Generation die Produktion ausweiten. Beide Generationen von 3D-Flash-Speichern nutzen die innovative CBA-Technologie (CMOS directly Bonded to Array) und bieten hohe Leistung, große Kapazität und geringen Stromverbrauch.
Die Fab2-Fabrik verfügt über eine erdbebensichere architektonische Struktur und ist so konzipiert, dass modernste energiesparende Fertigungsanlagen zum Einsatz kommen. Die Anlage nutzt künstliche Intelligenz zur Steigerung der Produktionseffizienz und verfügt über eine platzsparende Anlagengestaltung, die den für Fertigungsanlagen verfügbaren Platz in den Reinräumen vergrößert.
Kioxia und SanDisk haben kürzlich die Verlängerung ihres Joint-Venture-Rahmenvertrags bis Dezember 2034 bekannt gegeben. Die Partnerschaft zwischen SanDisk und Kioxia treibt seit Jahrzehnten Innovationen im Bereich der NAND-Flash-Speicher voran. Fortgesetzte Investitionen in die K2-Fabrik werden den langfristigen Erfolg des Joint Ventures sichern und dessen Fähigkeit stärken, bahnbrechende Flash-Speicher-Innovationen in großem Maßstab und mit hoher Stabilität bereitzustellen – im Einklang mit den zuvor von beiden Unternehmen festgelegten Zielen für das Bit-Wachstum.
Koichiro Shibayama, Präsident und CEO der Kioxia Iwate Corporation, die das Werk in Kitakami betreibt, sagte: „Wir freuen uns, hier in Kitakami mit der Produktion unserer fortschrittlichen Flash-Speicher der 10. Generation zu beginnen. Die in der Fab2 hergestellten Flash-Speicherprodukte der 8. und weiterer Generationen werden dem schnell wachsenden KI-Markt neuen Mehrwert bieten. Durch die Nutzung der Partnerschaft und der Skaleneffekte wird Kioxia weiterhin hochmoderne Flash-Speicherprodukte herstellen und ein nachhaltiges Unternehmenswachstum erzielen. Kioxia wird weiterhin zur Weiterentwicklung der Halbleiterindustrie sowie zur Förderung der lokalen und nationalen Wirtschaft beitragen.“
„Seit Jahrzehnten treiben SanDisk und Kioxia Innovationen im Bereich der NAND-Flash-Speicher voran“, sagte Alper Ilkbahar, Chief Technology Officer der SanDisk Corporation. „Der Produktionsstart unseres 3D-Flash-Speichers der 10. Generation in unserem Werk in Kitakami markiert einen wichtigen Meilenstein für beide Unternehmen, da die Nachfrage nach leistungsstarken Flash-Technologien weiter steigt. Mit unserem K2-Werk werden wir unsere Kunden weiterhin mit der weltweit führenden NAND-Technologie unterstützen, gleichzeitig den Gemeinden, in denen wir tätig sind, neue wirtschaftliche Chancen bieten und als Beispiel für starke wirtschaftspolitische Beziehungen zwischen den USA und Japan dienen.“
Kioxia und SanDisk pflegen seit über 25 Jahren eine erfolgreiche Joint-Venture-Partnerschaft und werden ihre Synergien und Wettbewerbsfähigkeit durch die gemeinsame Entwicklung von 3D-Flash-Speichern und Kapitalinvestitionen weiter stärken.

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