Samsung Electronics qualifiziert industrieweit ersten 32nm Low-Power / High-K Metal Gate Logikprozess
Samsung Foundry demonstriert für die neue 32nm LP HKMG Prozesstechnologie entwickelte SoC-Lösung
Seoul, Korea, 11. Juni 2010 – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Halbleitergeschäft, gibt bekannt, dass sein Geschäftsbereich, Samsung Foundry, einen 32 Nanometer (nm) Low-Power (LP) Prozess mit High-k Metal Gate (HKMG)*...
Neueste Kommentare
29. April 2026
28. April 2026
23. April 2026
17. April 2026
13. April 2026
9. April 2026